[发明专利]形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层上方形成第一扩散阻挡层；

在所述第一扩散阻挡层上方形成半导体器件层，所述半导体器件层包括晶体管；

在所述半导体器件层的前侧的所述半导体器件层上方形成第一互连结构，所述第一互连结构电耦合至所述晶体管；

将所述第一互连结构附接到载体；

在所述附接之后，去除所述衬底、所述蚀刻停止层和所述第一扩散阻挡层；以及

在所述去除之后，在所述半导体器件层的背侧处形成第二互连结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述蚀刻停止层包括形成由第一掺杂剂掺杂的第一半导体材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一半导体材料是硅或硅锗，并且所述第一掺杂剂是硼、磷、砷、铟或锑。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一半导体材料中的所述第一掺杂剂的浓度在约2E19原子/cm³和约5E21原子/cm³之间。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述第一扩散阻挡层包括：

在所述蚀刻停止层上方形成第一数量的外延硅层；和

形成第二数量的氧插入的部分单层，其中，所述第二数量的氧插入的部分单层与所述第一数量的外延硅层交错。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二数量比所述第一数量小一个。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二数量的氧插入的部分单层中的每一个是硅层，所述硅层具有合并到所述硅层中的氧。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述第二数量的氧插入的部分单层中的每一个的氧浓度比背景氧浓度水平高数个数量级。

9.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成蚀刻停止层，所述蚀刻停止层包括由第一掺杂剂掺杂的第一半导体材料；

在所述蚀刻停止层上方形成第一扩散阻挡层，所述第一扩散阻挡层包括与不连续的氧层交错的硅层；

在所述第一扩散阻挡层上方外延形成第二半导体材料；

在所述第二半导体材料中形成晶体管；

在所述第二半导体材料上方形成第一互连结构；

将所述第一互连结构附接到载体；以及

在所述附接之后，去除所述衬底、所述蚀刻停止层和所述第一扩散阻挡层。

10.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成掺杂的半导体层；

在所述掺杂的半导体层上方形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层包括交替的外延硅层和氧的部分单层；

在所述扩散阻挡层上方形成包括晶体管的器件层；以及

将所述器件层转移到工件上，其中，所述转移包括：

将所述器件层接合到所述工件；和

在所述接合之后，去除所述衬底、所述掺杂的半导体层和所述扩散阻挡层。