[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。方法包括：形成延伸到半导体衬底中的隔离区；以及在隔离区上方形成第一多个突出鳍和第二突出鳍。第一多个突出鳍包括远离第二突出鳍的外部鳍和最靠近第二突出鳍的内部鳍。该方法还包括蚀刻第一多个突出鳍以形成第一凹进，从第一凹进生长第一外延区，其中，将第一外延区合并以形成合并的外延区，蚀刻第二突出鳍以形成第二凹进，从第二凹进生长第二外延区。合并的外延区的顶表面在面向第二外延区的一侧比在背离第二外延区的一侧低。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

在鳍式场效应晶体管的形成中，通常通过形成半导体鳍，使半导体鳍凹进以形成凹进以及从凹进开始生长外延区来形成源极/漏极区。从相邻的半导体鳍的凹进生长的外延区可以彼此融合，并且所得的外延区可以具有平坦的顶表面。源极/漏极接触插塞形成为电连接到源极/漏极区。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：形成延伸到半导体衬底中的隔离区；在隔离区上方形成第一多个突出鳍和第二突出鳍，其中，第一多个突出鳍包括：远离第二突出鳍的外部鳍和最靠近第二突出鳍的内部鳍；蚀刻第一多个突出鳍以形成第一凹进；从第一凹进生长第一外延区，其中，将第一外延区合并以形成合并的外延区；蚀刻第二突出鳍以形成第二凹进；以及从第二凹进生长第二外延区，其中，合并的外延区的顶表面在面向第二外延区的一侧比在背离第二外延区的一侧低。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一多个隔离区和第二多个隔离区，延伸到半导体衬底中；第一条带组，包括在第一多个隔离区之间的第一多个半导体条带；第二条带组，包括在第二多个隔离区之间的至少一个第二半导体条带；第一鳍组，包括与对应的第一多个半导体条带重叠的第一多个半导体鳍；第二鳍组，包括与至少一个第二半导体条带重叠的至少一个第二半导体鳍；多个外延区，每个外延区包括填充延伸到第一多个半导体鳍中的一个的第一凹进的部分，其中，多个外延区被合并以形成合并的外延区；以及第二外延区，包括填充延伸到至少一个第二半导体鳍中的第二凹进的第二部分，其中，合并的外延区的顶表面朝向第二外延区倾斜，靠近第二外延区的顶表面的第一部分低于远离第二外延区的第二部分。

根据本发明实施例的又一个方面，提供了一种半导体器件，包括：多个半导体鳍；多个栅极堆叠件，位于多个半导体鳍的顶表面和侧壁上；多个外延区，每个外延区在多个半导体鳍中的两个之间并且接合侧壁，其中，多个外延区被合并为合并的外延区，并且多个外延区中最外的外延区是多个外延区中最短的；硅化物区，与合并的外延区的顶表面接触；以及接触插塞，位于硅化物区上方并与硅化物区接触。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1、图2、图3A、图3B、图3C、图4A、图4B、图5-图8、图9A、图9B、图10、图11A和图11B示出了根据一些实施例的形成鳍式场效应晶体管(FinFET)的中间阶段的立体图和截面图。

图12示出了根据一些实施例的半导体鳍中的凹进的立体图。

图13示出了根据一些实施例的具有浅沟槽隔离(STI)区域和半导体鳍的结构的立体图。

图14示出了根据一些实施例的用于形成n型FinFET和p型FinFET的工艺流程。

具体实施方式