[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

形成延伸到半导体衬底中的隔离区；

在所述隔离区上方形成第一多个突出鳍和第二突出鳍，其中，所述第一多个突出鳍包括远离所述第二突出鳍的外部鳍和最靠近所述第二突出鳍的内部鳍；

蚀刻所述第一多个突出鳍以形成第一凹进；

从所述第一凹进生长第一外延区，其中，将所述第一外延区合并以形成合并的外延区；

蚀刻所述第二突出鳍以形成第二凹进；以及

从所述第二凹进生长第二外延区，其中，所述合并的外延区的顶表面在面向所述第二外延区的侧面上比在背离所述第二外延区的侧面上低。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第一多个突出鳍的侧壁上形成多个鳍间隔件，其中，所述多个鳍间隔件包括面向所述第二外延区的第一外部鳍间隔件和背离所述第二外延区的第二外部鳍间隔件，其中，所述第二外部鳍间隔件比所述第一外部鳍间隔件高。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一外部鳍间隔件和所述第二外部鳍间隔件具有接触所述隔离区的顶表面的底部。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述多个鳍间隔件还包括在所述第一多个突出鳍中的相邻鳍之间的内部鳍间隔件，其中，所述内部鳍间隔件比所述第一外部鳍间隔件短并且比所述第二外部鳍间隔件高。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述内部鳍和所述外部鳍分别与内部半导体条带和外部半导体条带重叠，并且其中，所述第一外延区包括：

直接位于外部半导体条带上方的外部部分和直接位于所述内部半导体条带上方的内部部分，其中，所述外部部分的第一升高高度高于所述内部部分的第二升高高度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一凹进的底部高于所述隔离区的顶表面。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述合并的外延区上形成第一硅化物区，其中，所述第一硅化物区是倾斜的，更靠近所述第二外延区的所述第一硅化物区的第一部分低于远离所述第二外延区的所述第一硅化物区的第二部分。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述第一硅化物区的附加顶表面上形成的切线具有大于约6度的倾斜角。

9.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

第一多个隔离区和第二多个隔离区，延伸到所述半导体衬底中；

第一条带组，包括在所述第一多个隔离区之间的第一多个半导体条带；

第二条带组，包括在所述第二多个隔离区之间的至少一个第二半导体条带；

第一鳍组，包括与对应的第一多个半导体条带重叠的第一多个半导体鳍；

第二鳍组，包括与至少一个第二半导体条带重叠的至少一个第二半导体鳍；

多个外延区，分别包括填充延伸到所述第一多个半导体鳍中的一个的第一凹进的部分，其中，所述多个外延区被合并以形成合并的外延区；以及

第二外延区，包括填充延伸到所述至少一个第二半导体鳍中的第二凹进的第二部分，其中，所述合并的外延区的顶表面朝向所述第二外延区倾斜，更靠近所述第二外延区的所述顶表面的第一部分低于远离所述第二外延区的第二部分。

10.一种半导体器件，包括：

多个半导体鳍；

多个栅极堆叠件，位于所述多个半导体鳍的顶表面和侧壁上；

多个外延区，分别在所述多个半导体鳍中的两个之间并且接合所述多个半导体鳍中的所述两个的侧壁，其中，所述多个外延区被合并为合并的外延区，并且所述多个外延区中最外的外延区是所述多个外延区中最短的；

硅化物区，与所述合并的外延区的顶表面接触；以及

接触插塞，位于所述硅化物区上方并与所述硅化物区接触。