[发明专利]封装结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110742657.5 | 申请日： | 2021-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN113808961A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 郑心圃;林柏尧;陈硕懋;林嘉祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/488;H01L25/16 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种封装结构的形成方法，包括：
形成多个导电结构于一载体基板之中；
形成一重分布结构于该载体基板之上，其中该重分布结构具有多个含聚合物层及多个导电部件；
接合多个芯片结构于该重分布结构之上；
形成一保护层于该重分布结构之上以包围所述芯片结构；以及
形成多个导电连接器于该载体基板的一表面上，其中该载体基板位于该重分布结构及所述导电连接器之间。
2.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，还包括：接合所述导电连接器至一封装基板。
3.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其中，该载体基板以一半导体材料制成。
4.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，还包括：在形成该重分布结构之前形成至少一深沟槽电容于该载体基板之中。
5.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，还包括：在形成所述导电连接器之前，形成一第二重分布结构于该载体基板的该表面上，其中该载体基板位于该重分布结构及该第二重分布结构之间。
6.一种封装结构的形成方法，包括：
形成多个导电导孔于一载体基板之中；
形成一重分布结构于该载体基板之上，其中该重分布结构具有多个含聚合物层及多个导电部件；
放置多个芯片结构于该重分布结构之上；以及
接合该载体基板至一封装结构。
7.如权利要求6所述的封装结构的形成方法，还包括：
形成一介电层于该载体基板之中；
形成一导电材料于该介电层之上；以及
部分移除该导电材料，其中该导电材料的余留部分形成所述导电导孔。
8.一种封装结构，包括：
一加强板；
多个导电结构穿透该加强板；
一重分布结构，位于该加强板之上，其中该重分布结构包括多个含聚合物层及多个导电部件；
多个芯片结构，位于该重分布结构之上；
一保护层，包围所述芯片结构；以及
多个导电连接器，位于该加强板的一底表面之下，其中该加强板位于该重分布结构及所述导电连接器之间。
9.如权利要求8所述的封装结构，还包括一第二重分布结构，其中该第二重分布结构位于该加强板及所述导电连接器之间。
10.如权利要求8所述的封装结构，其中，该加强板与该重分布结构大抵上同宽。
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