[发明专利]电吸收调制激光器制冷封装结构

说明书

本发明公开了一种电吸收调制激光器制冷封装结构，涉及芯片封装技术领域，主要目的是保证电吸收调制吸光器的信号线和地线的阻抗在48至52欧姆，同时避免金线导热而影响半导体制冷器的制冷效果。该封装结构包括底座；半导体制冷器，设置于底座；L形钨铜块，其水平端设置于半导体制冷器；载板，设置于竖直端，载板的第一信号脚的第一打线端与第二信号脚的打线端、第一地脚和第三地脚以及第二地脚和第四地脚均水平相对，且分别通过两根金线连接；电吸收调制激光器芯片，设置于载板，其一端与第一信号脚连接，另一端与第三引脚连接；热敏电阻，设置于竖直端；背光监控探测器芯片，设置于水平端；透镜帽，封装于底座。

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域，尤其是涉及到一种电吸收调制激光器制冷封装结构。

背景技术

电吸收调制激光器是分布反馈激光器和电吸收调制器的集成器件，通常作为长途通讯干线和高速光纤传输系统中的关键信号光源而被广泛应用。

目前，电吸收调制激光器可以采用TO制冷封装结构，其通常包括半导体制冷器，该半导体制冷器用于对电吸收调制激光器进行控温，以保证电吸收调制激光器的工作温度。

电吸收调制激光器芯片通过金线与底座的引脚连接，由于引脚与电吸收调制激光器芯片的距离通常较远，导致金线的长度较长，而且，连接电吸收调制激光器芯片与引脚的金线数量通常较多，从而导致金线将更多的热量导至封装内，进而影响半导体制冷器对电吸收调制激光器的制冷效果。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种电吸收调制激光器制冷封装结构，主要目的是保证电吸收调制吸光器的信号线和地线的阻抗在48至52欧姆，同时避免因金线导热而影响半导体制冷器的制冷效果，从而保证电吸收调制激光器的正常工作。

为达到上述目的，本发明实施例主要提供如下技术方案：

本发明实施例提供了一种电吸收调制激光器制冷封装结构，包括：

底座，所述底座上设置有第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚和第五引脚；

半导体制冷器，设置于所述底座上，且与所述第一引脚连接；

L形钨铜块，所述L形钨铜块包括相连接的水平端和竖直端，所述水平端设置于所述半导体制冷器上，所述竖直端与所述第二引脚相邻；

载板，设置于所述竖直端，所述载板包括上下依次布置的第一地脚、第一信号脚和第二地脚，所述第一信号脚的第一打线端向下倾斜设置；所述第二引脚包括上下依次布置的第三地脚、第二信号脚和第四地脚，所述第二信号脚的打线端向上倾斜设置；所述第一信号脚的第一打线端与所述第二信号脚的打线端水平相对，且通过两根第一金线连接；所述第一地脚和第三地脚水平相对，且通过两根第二金线连接；所述第二地脚和第四地脚水平相对，且通过两根第三金线连接；

电吸收调制激光器芯片，设置于所述载板上，所述电吸收调制激光器芯片的一端与所述第一信号脚连接，另一端与所述第三引脚连接；

热敏电阻，设置于所述竖直端，且与所述第四引脚连接；

背光监控探测器芯片，设置于所述水平端，且与所述第五引脚连接；

透镜帽，封装于所述底座上。

进一步地，所述载板上靠近所述第二引脚的一端端面与所述竖直端的相对应端端面齐平。

进一步地，所述载板的厚度为0.254毫米；