[发明专利]电吸收调制激光器制冷封装结构

权利要求书

1.一种电吸收调制激光器制冷封装结构，其特征在于，包括：

底座，所述底座上设置有第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚和第五引脚；

半导体制冷器，设置于所述底座上，且与所述第一引脚连接；

L形钨铜块，所述L形钨铜块包括相连接的水平端和竖直端，所述水平端设置于所述半导体制冷器上，所述竖直端与所述第二引脚相邻；

载板，设置于所述竖直端，所述载板包括上下依次布置的第一地脚、第一信号脚和第二地脚，所述第一信号脚的第一打线端向下倾斜设置；所述第二引脚包括上下依次布置的第三地脚、第二信号脚和第四地脚，所述第二信号脚的打线端向上倾斜设置；所述第一信号脚的第一打线端与所述第二信号脚的打线端水平相对，且通过两根第一金线连接；所述第一地脚和第三地脚水平相对，且通过两根第二金线连接；所述第二地脚和第四地脚水平相对，且通过两根第三金线连接；

电吸收调制激光器芯片，设置于所述载板上，所述电吸收调制激光器芯片的一端与所述第一信号脚连接，另一端与所述第三引脚连接；

热敏电阻，设置于所述竖直端，且与所述第四引脚连接；

背光监控探测器芯片，设置于所述水平端，且与所述第五引脚连接；

透镜帽，封装于所述底座上。

2.根据权利要求1所述的电吸收调制激光器制冷封装结构，其特征在于，

所述载板上靠近所述第二引脚的一端端面与所述竖直端的相对应端端面齐平。

3.根据权利要求1所述的电吸收调制激光器制冷封装结构，其特征在于，

所述载板的厚度为0.254毫米；

所述第一信号脚的第一打线端与所述第一地脚之间的第一距离处处相等，且所述第一距离为0.065毫米，所述第一信号脚的第一打线端与所述第二地脚之间的第二距离处处相等，且所述第二距离为0.065毫米；所述第一信号脚的第一打线端的宽度为0.14毫米；所述第一地脚在所述载板端部处的宽度为0.28毫米；所述第二地脚在所述载板端部处的宽度为0.14毫米，以使所述第一信号脚与所述第一地脚之间的阻抗，以及所述第一信号脚和所述第二地脚之间的阻抗均在48欧姆至52欧姆范围内。

4.根据权利要求3所述的电吸收调制激光器制冷封装结构，其特征在于，

所述第一信号脚包括与所述第一打线端相对的第二打线端；

所述第一地脚和所述第二地脚在所述第一信号脚的第二打线端处相互连接而形成连接端；

所述第一信号脚的第二打线端与所述连接端之间的第三距离处处相等、所述第一信号脚的第二打线端与所述第一地脚之间的第四距离处处相等以及所述第一信号脚的第二打线端与所述第二地脚之间的第五距离处处相等；且所述第三距离、第四距离和第五距离均为0.065毫米；

所述第一信号脚的第二打线端的宽度为0.14毫米。

5.根据权利要求1所述的电吸收调制激光器制冷封装结构，其特征在于，

所述透镜帽的数量为多个，多个所述透镜帽的高度各不相同，任一所述透镜帽能封装于所述底座上。

6.根据权利要求5所述的电吸收调制激光器制冷封装结构，其特征在于，

所述电吸收调制激光器芯片的光轴与所述透镜帽的轴线重合。

7.根据权利要求1所述的电吸收调制激光器制冷封装结构，其特征在于，还包括：

第一电容，所述电吸收调制激光器芯片通过所述第一电容与所述第三引脚连接。

8.根据权利要求1所述的电吸收调制激光器制冷封装结构，其特征在于，还包括：

第二电容，所述第二电容与所述载板连接。

9.根据权利要求1所述的电吸收调制激光器制冷封装结构，其特征在于，

所述水平端的顶面为倾斜面，所述倾斜面朝向所述半导体制冷器的方向以及远离所述竖直端的方向倾斜设置。

10.根据权利要求9所述的电吸收调制激光器制冷封装结构，其特征在于，

所述倾斜面的倾斜角度为7度。