[发明专利]存储装置和用于存储装置的操作方法

说明书

提供了一种存储装置和用于该存储装置的操作方法。该存储装置通过从非易失性存储器的掉电保护(PLP)区域恢复导通单元计数(OCC)来执行读操作。非易失性存储器包括存储器块、缓冲存储器和控制器。缓冲存储器存储第一导通单元计数(OCC1)和第二导通单元计数(OCC2)，OCC1指示连接到参考字线的存储器单元当中的通过第一读电压导通的存储器单元的数量，OCC2指示连接到参考字线的存储器单元当中的通过第二读电压导通的存储器单元的数量。当存储装置中发生突然断电时，控制器将各个存储器块的OCC1存储在PLP区域中。

相关申请的交叉引用

本申请要求2020年8月14日提交于韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2020-0102709的优先权，该申请的主题以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明构思的实施例总体上涉及半导体存储器装置。更具体地，本发明构思的实施例涉及通过将由于保持劣化已改变的导通单元计数(OCC)值存储在非易失性存储器的掉电保护区域中并从其恢复OCC值来执行读操作的存储装置。本发明构思的实施例还涉及用于这样的存储装置的操作方法。

背景技术

许多存储装置包括至少一个非易失性存储器。随着存储装置的数据存储容量增加，堆叠在非易失性存储器的基板上的存储器单元和字线的数量也随着所存储的数据比特数一起增加。

如本领域技术人员所理解的，存储在非易失性存储器中的数据的完整性由于各种原因而趋于劣化，这常常取决于使用模式、操作环境等。存储装置可通过改变非易失性存储器的操作条件来克服劣化。因此，可基于(例如)预期的使用模式和操作环境预先确定和设定改变的操作条件。然而，此方法没有克服其中存储器单元的阈值电压分布趋于横跨不同的字线移位的问题。

因此，有必要监测非易失性存储器的劣化状态并根据所监测的劣化程度改变操作条件。然而，即使当存储装置使用改变的操作条件执行读操作(例如，关于由于非易失性存储器中的保持劣化而经历改变的所存储的OCC值执行读操作并从非易失性存储器恢复OCC)时，这可能有益于在总读取性能上寻求其他改进(例如，减少输出读取数据所需的时间)。

发明内容

根据本发明构思的一方面，提供了一种存储装置，包括：非易失性存储器，其包括存储器块，所述存储器块包括第一存储器块和第二存储器块；缓冲存储器，其被配置为将具有第一读电平的第一读电压和具有高于第一读电平的第二读电平的第二读电压施加到与各个存储器块的参考字线连接的存储器单元，并且存储第一导通单元计数(OCC1)和第二导通单元计数(OCC2)，OCC1指示连接到参考字线的存储器单元当中的通过第一读电压导通的存储器单元的数量，OCC2指示连接到参考字线的存储器单元当中的通过第二读电压导通的存储器单元的数量；以及控制器，当存储装置中发生突然断电时，所述控制器将各个存储器块的OCC1存储在非易失性存储器的掉电保护(PLP)区域中。

根据本发明构思的一方面，提供了一种存储装置，包括：非易失性存储器，其包括存储器块，所述存储器块包括第一存储器块和第二存储器块；缓冲存储器，其被配置为将具有第一读电平的第一读电压和具有高于第一读电平的第二读电平的第二读电压施加到与各个存储器块的参考字线连接的存储器单元，并且存储第一导通单元计数(OCC1)、第二导通单元计数(OCC2)和人工神经网络(ANN)模型，OCC1指示连接到参考字线的存储器单元当中的通过第一读电压导通的存储器单元的数量，OCC2指示连接到参考字线的存储器单元当中的通过第二读电压导通的存储器单元的数量；以及控制器，其被配置为将OCC1、OCC2以及存储器块当中的目标存储器块的目标字线的编号输入到ANN模型，计算用于确定连接到目标字线的存储器单元的数据的读电平，并且在存储装置中发生突然断电时将各个存储器块的OCC1存储在非易失性存储器的掉电保护(PLP)区域中。