[发明专利]存储装置和用于存储装置的操作方法在审
申请号: | 202110737259.4 | 申请日: | 2021-06-30 |
公开(公告)号: | CN114078518A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 崔相炫;徐荣德;卢羌镐 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C14/00 | 分类号: | G11C14/00;G06N3/063 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 装置 用于 操作方法 | ||
1.一种存储装置,包括:
非易失性存储器,其包括存储器块,所述存储器块包括第一存储器块和第二存储器块;
缓冲存储器,其被配置为将具有第一读电平的第一读电压和具有高于所述第一读电平的第二读电平的第二读电压施加到与各个存储器块的参考字线连接的存储器单元,并且存储第一导通单元计数和第二导通单元计数,所述第一导通单元计数指示连接到所述参考字线的存储器单元当中的通过所述第一读电压导通的存储器单元的数量,所述第二导通单元计数指示连接到所述参考字线的存储器单元当中的通过所述第二读电压导通的存储器单元的数量;以及
控制器,当所述存储装置中发生突然断电时,所述控制器将各个存储器块的第一导通单元计数存储在所述非易失性存储器的掉电保护区域中。
2.根据权利要求1所述的存储装置,其中,当在向所述第一存储器块写入数据的同时发生突然断电时,所述控制器还被配置为在能够向所述第一存储器块连续写入所述数据时选择所述第一存储器块作为所述掉电保护区域,并且将各个存储器块的第一导通单元计数存储在所述掉电保护区域中。
3.根据权利要求1所述的存储装置,其中,当在向所述第一存储器块写入数据的同时发生突然断电时,所述控制器还被配置为在不能向所述第一存储器块连续写入数据时选择所述第二存储器块作为所述掉电保护区域,并且将各个存储器块的第一导通单元计数存储在所述掉电保护区域中。
4.根据权利要求3所述的存储装置,其中,所述控制器还被配置为将所述数据当中的第一数据写入到所述第二存储器块,此后将写入到所述第一存储器块的第二数据迁移到所述第二存储器块,并且对所述第一存储器块执行擦除操作。
5.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述控制器还被配置为在所述存储装置通电并启动时将所述第一导通单元计数存储在所述缓冲存储器中,并且将在连接到各个存储器块的参考字线的存储器单元当中的以所述第二读电压监测的第二导通单元计数存储在所述缓冲存储器中,并且此后读取存储在所述掉电保护区域中的各个存储器块的第一导通单元计数。
6.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述控制器还被配置为执行周期性地监测所述第一导通单元计数和所述第二导通单元计数以更新所述缓冲存储器的后台操作。
7.根据权利要求6所述的存储装置,其中,当从主机接收到将数据写入所述第一存储器块的写请求或者从所述第一存储器块读取数据的读请求时,所述控制器还被配置为停止所述后台操作。
8.根据权利要求7所述的存储装置,其中,所述控制器还被配置为响应于所述读请求基于所述第一导通单元计数、所述第二导通单元计数和所述第一存储器块的目标字线的编号来计算用于读取所述数据的读电平,并且此后将所述读电平提供给所述非易失性存储器以施加到所述目标字线。
9.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述控制器还被配置为根据与用于确定连接到所述参考字线的存储器单元的数据的读电平当中的较低读电平的相关性来确定所述第一读电平,并且根据与所述读电平当中的较高读电平的相关性来确定所述第二读电平。
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