[发明专利]用于处理工件的方法及等离子体刻蚀机、半导体器件

说明书

本公开提供了用于处理工件的方法及等离子体刻蚀机、半导体器件，涉及半导体制造领域。具体实现方案为：将工件置于腔室中的工件支撑件上，所述工件上形成有侧墙结构；选择组分调节气体，调整碳与氟的体积比以处理所述工件；组分调节气体包含符合化学通式C_xH_yF_z的一种或多种分子；碳与氟的体积比控制所述侧墙结构上形成的碳基聚合物的分布；使用工艺气体生成的一种或多种等离子体产生一种或多种物质，以得到混合物；其中，所述工艺气体包括蚀刻气体和所述组分调节气体；将所述工件暴露在所述混合物中，以在所述侧墙结构的至少部分区域上形成聚合物层，以及刻蚀所述侧墙结构的至少部分区域。如此，最大化降低底层衬底过多刻蚀而导致的损失。

技术领域

本公开涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种用于处理工件的方法及等离子体刻蚀机、半导体器件。

背景技术

在半导体器件制造流程的刻蚀工艺中，经常用到刻蚀气体。

发明内容

本公开提供了一种用于处理工件的方法及等离子体刻蚀机、半导体器件。

根据本公开的一方面，提供了一种用于处理工件的方法，包括：

将工件置于腔室中的工件支撑件上，所述工件上形成有侧墙结构；

选择组分调节气体，调整碳与氟的体积比以处理所述工件；其中，所述组分调节气体包含符合化学通式C_xH_yF_z的一种或多种分子；x和z为大于零的自然数，y为大于或等于零的自然数；所述碳与氟的体积比控制所述侧墙结构上形成的碳基聚合物的分布；

使用工艺气体生成的一种或多种等离子体产生一种或多种物质，以得到混合物；其中，所述工艺气体包括蚀刻气体和所述组分调节气体；

将所述工件暴露在所述混合物中，以在所述侧墙结构的至少部分区域上形成聚合物层，以及刻蚀所述侧墙结构的至少部分区域。

在本申请方案的一具体示例中，所述聚合物层的第一部分形成于所述侧墙结构的第一区域，所述聚合物层的第二部分形成于所述侧墙结构的第二区域；所述第一区域高于所述第二区域；所述第一部分的第一厚度不同于所述第二部分的第二厚度。

在本申请方案的一具体示例中，所述选择组分调节气体，调整碳与氟的体积比，包括：

选择所述组分调节气体使碳与氟的第一体积比大于或等于预设比例，使得所述第一厚度大于所述第二厚度；或者，

选择所述组分调节气体使碳与氟的第二体积比小于所述预设比例，使得所述第一厚度小于所述第二厚度。

在本申请方案的一具体示例中，所述侧墙结构为氧化物侧墙结构。

在本申请方案的一具体示例中，所述刻蚀气体为八氟环丁烷C₄F₈。

在本申请方案的一具体示例中，符合化学通式C_xH_yF_z的气体包括：二氟甲烷CH₂F₂、三氟甲烷CHF₃、四氟化碳CF₄中的至少一种。

在本申请方案的一具体示例中，所述工艺气体还包含有惰性气体；或者，所述工艺气体还包含有惰性气体和氧气。

在本申请方案的一具体示例中，所述工艺气体中各组分的体积比为：

所述刻蚀气体：约10％-约30％；

所述组分调节气体：约5％-约25％；

所述氧气：约3％-约10％；

所述惰性气体：约50％-约80％。