[发明专利]用于处理工件的方法及等离子体刻蚀机、半导体器件

权利要求书

1.一种用于处理工件的方法，其特征在于，包括：

将工件置于腔室中的工件支撑件上，所述工件上形成有侧墙结构；

选择组分调节气体，调整碳与氟的原子个数比以处理所述工件；其中，所述组分调节气体包含符合化学通式C_xH_yF_z的一种或多种分子；x和z为大于零的自然数，y为大于或等于零的自然数；所述碳与氟的原子个数比控制所述侧墙结构上形成的碳基聚合物的分布；

使用工艺气体生成的一种或多种等离子体产生一种或多种物质，以得到混合物；其中，所述工艺气体包括刻蚀气体和所述组分调节气体；

将所述工件暴露在所述混合物中，以在所述侧墙结构的至少部分区域上形成聚合物层，以及刻蚀所述侧墙结构的至少部分区域；

其中，所述聚合物层的第一部分形成于所述侧墙结构的第一区域，所述聚合物层的第二部分形成于所述侧墙结构的第二区域；所述第一区域高于所述第二区域；所述第一部分的第一厚度不同于所述第二部分的第二厚度；

其中，所述选择组分调节气体，调整碳与氟的原子个数比，包括：

选择所述组分调节气体使碳与氟的第一原子个数比大于或等于预设比例，使得所述第一厚度大于所述第二厚度；或者，

选择所述组分调节气体使碳与氟的第二原子个数比小于所述预设比例，使得所述第一厚度小于所述第二厚度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述侧墙结构为氧化物侧墙结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述刻蚀气体为八氟环丁烷C₄F₈。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，符合化学通式C_xH_yF_z的气体包括：二氟甲烷CH₂F₂、三氟甲烷CHF₃、四氟化碳CF₄中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述工艺气体还包含有惰性气体；或者，所述工艺气体还包含有惰性气体和氧气。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述工艺气体中各组分的体积比为：

所述刻蚀气体：10%-30%；

所述组分调节气体：5%-25%；

所述氧气：3%-10%；

所述惰性气体：50%-80%。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述腔室的处理参数包括以下参数中的一个或多个：

压力：5毫托-70毫托；

源功率：100瓦-500瓦；

中心功率：50瓦-200瓦；

偏压功率：100瓦-500瓦。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述使用工艺气体生成的一种或多种等离子体产生一种或多种物质，以得到混合物，包括：

向感应线圈提供第一射频RF电源使所述工艺气体生成第一等离子体，以在所述腔室中产生第一混合物；所述第一混合物包含一种或多种第一物质；

向偏压电极提供第二RF电源使得在所述第一混合物中生成第二等离子体，以在所述腔室中产生第二混合物，所述第二混合物包括一种或多种第二物质；

其中，所述将所述工件暴露在所述混合物中，包括：

将所述工件暴露在所述第二混合物中。