[发明专利]组合样品及其制备方法

说明书

本申请实施例公开了一种组合样品及其制备方法，其中，制备方法包括：将样品承载部放置于承载台上；所述样品承载部包括基底和至少一个格栅，所述栅格位于所述基底背离所述承载台的一侧；在所述格栅中形成凹槽；所述凹槽具有第一侧壁，所述第一侧壁与所述基底垂直；将待减薄样品粘贴于所述凹槽的第一侧壁上，得到组合样品；所述待减薄样品的粘贴面与所述基底呈第一预设角度，所述第一预设角度为锐角；利用聚焦离子束，对所述待减薄样品进行减薄处理。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种组合样品及其制备方法。

背景技术

在半导体技术持续发展的今天，由于半导体器件尺寸不断变小，使得分析其失效原因的难度也随之不断变大，透射电子显微镜(TEM，Transmission Electron Microscope)拥有的次纳米级的高分辨分析能力，能够观察半导体器件的内部结构和晶体缺陷，并能对同一区域进行衍衬成像及电子衍射研究，把形貌信息与结构信息联系在一起，因此已经成为半导体器件失效分析中一种不可缺少的重要手段。

由于TEM利用穿透样品的电子束成像，而电子本身穿透能力很弱，所以TEM的样品，尤其是需要观测部位要求比较薄，一般为50-500nm。为取得上述厚度薄为50-500nm的样品，半导体技术领域通常采用聚焦离子束(FIB，Focus Ion Beam)双面切削的方法来减薄制备TEM样品。

然而，相关技术中，制得减薄样品的步骤繁多且复杂，容易造成误操作，且耗时长。

发明内容

为解决相关技术问题，本申请实施例提出一种组合样品及其制备方法。

本申请实施例提供了一种组合样品的制备方法，包括：

将样品承载部放置于承载台上；所述样品承载部包括基底和至少一个格栅，所述栅格位于所述基底背离所述承载台的一侧；

在所述格栅中形成凹槽；所述凹槽具有第一侧壁，所述第一侧壁与所述基底垂直；

将待减薄样品粘贴于所述凹槽的第一侧壁上，得到组合样品；所述待减薄样品的粘贴面与所述基底呈第一预设角度，所述第一预设角度为锐角；

利用聚焦离子束，对所述待减薄样品进行减薄处理。

上述方案中，在将待减薄样品粘贴于所述凹槽的第一侧壁上之前，所述方法还包括：

以所述第一侧壁内任意平行于所述基底的直线为转轴，将所述样品承载部围绕所述转轴旋转第二预设角度；

所述将待减薄样品粘贴于所述凹槽的第一侧壁上，包括：

将所述待减薄样品的粘贴面与所述第一侧壁呈第二预设角进行粘贴，以使所述待减薄样品的粘贴面与所述基底呈所述第一预设角度；所述第二预设角与所述第一预设角之和为90°。

上述方案中，在将所述待减薄样品的粘贴面与所述第一侧壁呈所述第二预设角进行粘贴时，通过胶填充所述待减薄样品与所述第一侧壁之间的缝隙。

上述方案中，所述第一预设角度的范围为10°至20°。

上述方案中，所述凹槽的底面与所述待减薄样品之间存在第一距离；

在利用聚焦离子束，对所述待减薄样品进行减薄处理时，在所述第一距离的作用下，使得所述的凹槽底面被所述聚焦离子束轰击出的粒子不返溅到所述待减薄样品上。

上述方案中，所述凹槽还具有两个相互平行的第二侧壁，所述第二侧壁与所述基底垂直；所述凹槽的第二侧壁与待减薄样品之间存在第二距离；

上述方案中，所述利用聚焦离子束，对所述待减薄样品进行减薄处理，包括：

利用聚焦离子束，对所述待减薄样品的与所述第二侧壁相对的两侧面进行减薄处理。