[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

方法包括将第一电压施加至测试晶圆中的半导体检测器的检测器单元的第一晶体管的源极，以及将第二电压施加至检测器单元的第一晶体管的栅极和第二晶体管的漏极。第一晶体管串联耦接至第二晶体管，并且第一电压高于第二电压。对检测器单元执行预曝光读取操作。在施加第一电压和第二电压之后，将曝光装置的光投射到第二晶体管的栅极。对检测器单元执行曝光后读取操作。将预曝光读取操作与曝光后读取操作的数据进行比较。基于预曝光读取操作和曝光后读取操作的比较的数据调整光的强度。本发明的实施例还涉及半导体结构及其制造方法。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体结构及其制造方法。

背景技术

在过去的几十年中，半导体集成电路产业经历了快速增长。半导体材料和设计的技术进步已经产生了越来越小和越来越复杂的电路。这些材料和设计上的进步已经成为可能，因为与处理和制造相关的技术也经历了技术进步。在半导体演化的过程中，每单位面积的互连器件的数量增加，因为可以可靠地创建的最小组件的尺寸已经减小。

随着尺寸的减小，维持图案化工艺中的可靠性以及由图案化工艺产生的良率变得更加困难。在一些情况下，光学邻近校正的使用和光刻参数(诸如工艺的持续时间、所使用的光的波长、焦点和强度)的调整可以减轻一些缺陷。然而，用于在半导体晶圆中图案化材料层的电流和系统并不完全令人满意。

发明内容

本发明的实施例提供了一种制造半导体结构的方法，包括：将第一电压施加至测试晶圆中的半导体检测器的检测器单元的第一晶体管的源极，并且将第二电压施加至所述检测器单元的所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的漏极，其中，所述第一晶体管串联耦接至所述第二晶体管，并且所述第一电压高于所述第二电压；对所述半导体检测器的所述检测器单元执行预曝光读取操作；在施加所述第一电压和所述第二电压之后，将曝光装置的光投射到所述检测器单元的所述第二晶体管的栅极；对所述半导体检测器的所述检测器单元执行曝光后读取操作；将所述预曝光读取操作与所述曝光后读取操作的数据进行比较；以及基于所述预曝光读取操作和所述曝光后读取操作的比较的数据调整所述光的强度。

本发明的另一实施例提供了一种制造半导体结构的方法，包括：提供包括半导体检测器的测试晶圆，其中，所述半导体检测器包括串联耦接的第一晶体管和第二晶体管，并且所述第二晶体管的栅极是浮置栅极；对所述半导体检测器执行预曝光读取操作；将电子束(e束)撞击在所述半导体检测器的所述第二晶体管的所述栅极上；对所述半导体检测器执行曝光后读取操作；以及根据所述预曝光读取操作的数据和所述曝光后读取操作的数据调整所述电子束的束分布。

本发明的又一实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底，具有感测区域和外周区域；半导体检测器，位于所述衬底的所述感测区域上，所述半导体检测器包括：第一检测器单元、第二检测器单元和第三检测器单元，所述第一检测器单元、所述第二检测器单元、所述第三检测器单元中的每个包括串联连接的第一晶体管和第二晶体管，其中，所述第二晶体管的栅极是浮置栅极；外周电路，位于所述衬底的所述外周区域上，并且耦接至所述半导体检测器；以及多层互连结构，位于所述衬底上方，其中，位于所述外周电路正上方的所述多层互连结构的金属化层的第一数量大于位于所述半导体检测器正上方的所述多层互连结构的金属化层的第二数量。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是示出根据本发明的一些实施例的半导体检测器的示意图。

图2是图1中的检测器单元的放大图。

图3是根据一些实施例的图2中的检测器单元的示意截面图。

图4是示出根据本发明的一些实施例的在初始化操作时的示例性检测器单元的示意截面图。