[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体结构的方法，包括：

将第一电压施加至测试晶圆中的半导体检测器的检测器单元的第一晶体管的源极，并且将第二电压施加至所述检测器单元的所述第一晶体管的栅极和第二晶体管的漏极，其中，所述第一晶体管串联耦接至所述第二晶体管，并且所述第一电压高于所述第二电压；

对所述半导体检测器的所述检测器单元执行预曝光读取操作；

在施加所述第一电压和所述第二电压之后，将曝光装置的光投射到所述检测器单元的所述第二晶体管的栅极；

对所述半导体检测器的所述检测器单元执行曝光后读取操作；

将所述预曝光读取操作与所述曝光后读取操作的数据进行比较；以及

基于所述预曝光读取操作和所述曝光后读取操作的比较的数据调整所述光的强度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述曝光装置的光照射到所述检测器单元的所述第二晶体管的所述栅极期间，不向所述第一晶体管和所述第二晶体管施加功率。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括在将所述第一电压施加至所述第一晶体管的所述源极期间，将所述第一电压施加至所述第一晶体管和所述第二晶体管的沟道。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二电压是接地电压。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，施加所述第一电压和所述第二电压，使得所述第二晶体管的所述栅极的电子处于饱和状态。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述预曝光读取操作包括：

将所述第一晶体管的所述栅极充电至所述第二电压；以及

将所述第一晶体管的所述源极充电至高于所述第二电压的第三电压。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，执行所述预曝光读取操作还包括：

将所述第二晶体管的所述漏极充电至高于所述第二电压并且低于所述第三电压的变化的测试电压；以及

在所述变化的测试电压下从所述第二晶体管的所述漏极读取电流。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括在调整所述光的强度之后通过使用所述光来曝光产品晶圆。

9.一种制造半导体结构的方法，包括：

提供包括半导体检测器的测试晶圆，其中，所述半导体检测器包括串联耦接的第一晶体管和第二晶体管，并且所述第二晶体管的栅极是浮置栅极；

对所述半导体检测器执行预曝光读取操作；

将电子束(e束)撞击在所述半导体检测器的所述第二晶体管的所述栅极上；

对所述半导体检测器执行曝光后读取操作；以及

根据所述预曝光读取操作的数据和所述曝光后读取操作的数据调整所述电子束的束分布。

10.一种半导体结构，包括：

衬底，具有感测区域和外周区域；

半导体检测器，位于所述衬底的所述感测区域上，所述半导体检测器包括：

第一检测器单元、第二检测器单元和第三检测器单元，所述第一检测器单元、所述第二检测器单元、所述第三检测器单元中的每个包括串联连接的第一晶体管和第二晶体管，其中，所述第二晶体管的栅极是浮置栅极；

外周电路，位于所述衬底的所述外周区域上，并且耦接至所述半导体检测器；以及

多层互连结构，位于所述衬底上方，其中，位于所述外周电路正上方的所述多层互连结构的金属化层的第一数量大于位于所述半导体检测器正上方的所述多层互连结构的金属化层的第二数量。