[发明专利]LDMOS器件及其制作方法

说明书

本申请公开了一种LDMOS器件及其制作方法，该器件包括：衬底，其中形成有第一阱掺杂区和第二阱掺杂区，第一阱掺杂区中形成有第一重掺杂区和第二重掺杂区，第二阱掺杂区中形成有第三重掺杂区，第一重掺杂区和第二重掺杂区中形成有金属硅化物层；栅极，其形成于栅氧上，栅氧形成于衬底上；第一金属连线，其底部与金属硅化物层连接；第二金属连线，其底部与第三重掺杂区连接；Z字型阻挡层，其上部与栅极连接，其底部与第二阱掺杂区连接，其底部被第二金属连线截成两段，Z字型阻挡层的上部和底部之间的部位与栅极的侧墙连接。本申请提供的LDMOS器件可在减小Rsp的同时提高器件的BV，在提高器件适用性的基础上提高了其电学性能。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种横向扩散金属氧化物半导体(laterally-diffused metal-oxide semiconductor，LDMOS)器件及其制作方法。

背景技术

LDMOS器件由于易与互补金属氧化物半导体(complementary metal oxidesemiconductor，CMOS)器件的制造工艺兼容，且具有耐高压，大电流驱动能力和极 低功耗等特点，被广泛应用于显示驱动、电源管理等领域。

参考图1，其示出了相关技术中提供的一种LDMOS器件的剖面示意图。如图1 所示，衬底110中形成有第一阱掺杂区101和第二阱掺杂区102，第一阱掺杂区101 中形成有第一重掺杂区1001和第二重掺杂区1002，第二阱掺杂区102中形成有第三 重掺杂区1003，第一重掺杂区1001、第二重掺杂区1002和第三重掺杂区1003中形 成有金属硅化物层140，金属硅化物层140与金属连线150连接，衬底110上形成有 栅氧120，栅氧120上形成有栅极130，栅极130的周侧形成有侧墙121，栅极130 的一侧形成有“Z”字型的阻挡层(salicideblock，SAB)160，阻挡层160覆盖了栅 极130的顶部和侧墙121的部分区域，且其底部与第三重掺杂区1003具有交叠的区 域。

如图1所示，相关技术中提供的LDMOS器件结构中，有四个数值对于其电学参 数具有影响：(1)沿栅极130长度方向上，阻挡层160超出栅极130的宽度A，器件 的击穿电压(break voltage，BV)和特征导通电阻(specific on-resistance，Rsp)随该 宽度A的增加而提高；(2)沿栅极130长度方向上，阻挡层160离最近的金属连线 150的距离B，器件的Rsp随距离B的增加而提高；(3)与阻挡层160具有交叠区域 的第三重掺杂层1003的深度Yj以及交叠区域沿栅极130长度方向上的宽度X_j，器件 的BV随深度Y_j的增加而降低，器件的Rsp和BV随深度Y_j的增加而降低。

由上述可知，相关技术中提供的LDMOS器件，由于距离B、宽度X_j和深度Y_j较大，从而导致器件的BV和Rsp较小，电学性能较差。

发明内容

本申请提供了一种LDMOS器件及其制作方法，可以解决相关技术中提供的LDMOS器件应用电学性能较差的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种LDMOS器件，包括：

衬底，所述衬底中形成有第一阱掺杂区和第二阱掺杂区，所述第一阱掺杂区中形成有第一重掺杂区和第二重掺杂区，所述第二阱掺杂区中形成有第三重掺杂区，所述 第一重掺杂区和所述第二重掺杂区中形成有金属硅化物层；

栅极，所述栅极形成于栅氧上，所述栅氧形成于所述衬底上；

第一金属连线，所述第一金属连线的底部与所述金属硅化物层连接；

第二金属连线，所述第二金属连线的底部与所述第三重掺杂区连接，所述第三重掺杂区的宽度和所述第二金属连线的宽度相等；