[发明专利]LDMOS器件及其制作方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件，其特征在于，所述器件应用于低压环境中，所述器件包括：

衬底，所述衬底中形成有第一阱掺杂区和第二阱掺杂区，所述第一阱掺杂区中形成有第一重掺杂区和第二重掺杂区，所述第二阱掺杂区中形成有第三重掺杂区，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区中形成有金属硅化物层；

栅极，所述栅极形成于栅氧上，所述栅氧形成于所述衬底上；

第一金属连线，所述第一金属连线的底部与所述金属硅化物层连接；

第二金属连线，所述第二金属连线的底部与所述第三重掺杂区连接，所述第三重掺杂区的宽度和所述第二金属连线的宽度相等；

Z字型阻挡层，所述Z字型阻挡层的上部与所述栅极连接，所述Z字型阻挡层的底部与所述第二阱掺杂区连接且被所述第二金属连线截成两段，所述Z字型阻挡层的上部和底部之间的部位与所述栅极的侧墙连接；

其中，所述第一阱掺杂区和所述第二阱掺杂区中包含的杂质的类型不同；所述第一阱掺杂区和所述第二重掺杂区中包含的杂质的类型不同，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区中包含的杂质的类型不同；所述第二重掺杂区和所述第三重掺杂区中包含的杂质类型相同，所述第二重掺杂区和所述第三重掺杂区的杂质浓度不同；所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和所述第三重掺杂区的杂质浓度高于所述第一阱掺杂区和所述第二阱掺杂区的杂质浓度；所述第三重掺杂区的深度小于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区的深度。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述Z字型阻挡层包括硅氧化物。

3.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述器件周侧的衬底中形成有环绕的STI结构。

4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述金属硅化物层包括钴硅化合物。

5.一种LDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述器件应用于低压环境中，所述方法包括：

提供一衬底，所述衬底中形成有第一阱掺杂区和第二阱掺杂区，所述衬底上形成有栅氧，所述栅氧上形成有栅极，所述栅氧分别与所述第一阱掺杂区和第二阱掺杂区具有交叠区域；

在所述栅极的周侧形成侧墙；

依次在所述第一阱掺杂区中形成第二重掺杂区和第一重掺杂区；

在所述栅极一侧和衬底上形成Z字型阻挡层，所述Z字型阻挡层的上部与所述栅极连接，所述Z字型阻挡层的底部与所述第二阱掺杂区连接，所述Z字型阻挡层的上部和底部之间的部位与所述栅极的侧墙连接；

在所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区中形成金属硅化物层；

沉积层间介质层；

打开层间介质层，形成第一通孔和第二通孔，所述第一通孔底部的金属硅化物层暴露，所述第二通孔底部的第二阱掺杂区暴露，所述第二通孔将所述Z字型阻挡层的底部截成两段；

在所述第二通孔下方的第二阱掺杂区中形成第三重掺杂层；

在所述第一通孔和所述第二通孔中填充金属，形成第一金属连线和第二金属连线；

其中，所述第一阱掺杂区和所述第二阱掺杂区中包含的杂质的类型不同；所述第一阱掺杂区和所述第二重掺杂区中包含的杂质的类型不同，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区中包含的杂质的类型不同；所述第二重掺杂区和所述第三重掺杂区中包含的杂质类型相同，所述第二重掺杂区和所述第三重掺杂区的杂质浓度不同；所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和所述第三重掺杂区的杂质浓度高于所述第一阱掺杂区和所述第二阱掺杂区的杂质浓度；所述第三重掺杂区的深度小于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区的深度。