[发明专利]微影系统与其操作的方法

说明书

一种微影系统与其操作的方法，操作微影系统的方法包括沉积遮罩层在基材上、根据图案将反射自微影系统的组合式集光器的集光器中央区的第一辐射导向遮罩层、根据图案将反射自组合式集光器的第一集光器周边区的第二辐射导向遮罩层，其中第一集光器周边区通过第一缝隙与集光器中央区垂直隔开。操作微影系统的方法包括移除遮罩层的数个第一区域和数个第二区域以形成数个开口在此遮罩层中，其中遮罩层的第一区域暴露在第一辐射及遮罩层的第二区域暴露在第二辐射。操作微影系统的方法包括移除显露在开口中位于此遮罩层下方的层的材料。

技术领域

本揭示案实施例是有关于微影系统与其操作的方法，尤其是极紫外微影系统与其操作的方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit,IC)产业已历经了指数成长。IC材料及设计的技术性进步已产生了数个世代的ICs，其中各世代都比前一世代具有更小且更复杂的电路。在IC演进的历程中，功能密度(即单位晶片面积的内连线装置数目)通常会增加，而几何尺寸(即可使用制程生产的最小元件(或线))却减少。此微缩化(scaling down)的制程通常通过提高生产效率及降低相关成本来提供效益。此微缩化亦增加IC制程的复杂性。

发明内容

根据本揭示案的一个实施例，一种操作微影系统的方法包括沉积遮罩层在基材上、根据图案将反射自微影系统的组合式集光器的集光器中央区的第一辐射导向遮罩层、根据图案将反射自组合式集光器的第一集光器周边区的第二辐射导向遮罩层，其中第一集光器周边区通过第一缝隙与集光器中央区垂直隔开。操作微影系统的方法包括移除遮罩层的数个第一区域和数个第二区域以形成数个开口在此遮罩层中，其中遮罩层的第一区域暴露在第一辐射及遮罩层的第二区域暴露在第二辐射。操作微影系统的方法包括移除显露在开口中位于此遮罩层下方的层的材料。

根据本揭示案的另一实施例，一种操作微影系统的方法包括通过来自第一组合式集光器的第一辐射以图案化第一层在第一晶圆上、用第二集光器片段取代第一组合式集光器的第一集光器片段以形成第二组合式集光器、以及通过来自第二组合式集光器的第二辐射以图案化第二层在第二晶圆上。

根据本揭示案的又一实施例，一种微影系统包括晶圆载台、数个投影光学件、遮罩载台、数个照明光学件和光源。晶圆载台设置以支撑一晶圆。数个投影光学件设置以将图案化辐射导向晶圆的区域上。遮罩载台设置以形成图案化辐射并将图案化辐射导向投影光学件。数个照明光学件设置以将未图案化辐射导向遮罩载台。光源包括液滴产生器、激光源以及组合式集光器。液滴产生器设置以产生液滴。激光源设置以发出至少一激光脉冲至液滴。组合式集光器设置以反射辐射至照明光学件，其中辐射由液滴产生，且组合式集光器包括集光器中央区以及第一集光器周边区。集光器中央区设置以反射辐射的第一部分。第一集光器周边区设置以反射辐射的第二部分，第一集光器周边区与集光器中央区重叠在第一重叠区域中。第一重叠区域包括第一垂直缝隙介于第一集光器周边区与集光器中央区之间。

附图说明

阅读以下实施方法时搭配附图以清楚理解本揭示案的观点。应注意的是，根据业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种特征的尺寸可能任意地放大或缩小。

图1A至图1B根据本揭示案的各种实施例绘示部分的微影扫描器的示意图；

图2A至图2H根据本揭示案的各种观点绘示微影扫描器的组合式集光器的各种实施例的示意图；

图3A至图3E根据本揭示案的各种实施例绘示在组合式集光器内的气流的示意图；

图4和图5根据本揭示案的各种观点绘示制造装置的方法的流程图。

【符号说明】

10:微影曝光系统

16:遮罩载台

18:遮罩

22:半导体晶圆