[发明专利]一种热活化延迟荧光材料、有机发光器件及显示装置

说明书

本公开提供一种热活化延迟荧光材料、有机发光器件及显示装置，热活化延迟荧光材料的单重态能级和三重态能级之间的能级差小于0.3eV，热活化延迟荧光材料的单重态和三重态之间的自旋轨道耦合值SOC≥0.05cmsupgt;‑1/supgt;。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种热活化延迟荧光材料、有机发光器件及显示装置。

背景技术

热活化延迟荧光(Thermally Activated Delayed Fluorescence，TADF)技术作为具有应用潜力的有机发光二极管技术，近年来获得较快发展，被誉为第三代OLED(OrganicLight-Emitting Diode)技术。而基于TADF敏化剂的超荧光技术，则被认为是最具有应用价值的TADF实现方案，在下一代平板显示领域具有巨大的应用潜力，因而成为研究开发的热点。

但目前超荧光技术也面临诸多问题，例如器件效率不高、寿命较短等问题，这些问题都阻碍其走向实用。

发明内容

本公开实施例提供了一种热活化延迟荧光材料、有机发光器件及显示装置，用以解决现有技术存在的一种或多种问题。

因此，本公开实施例提供了一种热活化延迟荧光材料，所述热活化延迟荧光材料的单重态能级和三重态能级之间的能级差小于0.3eV，所述热活化延迟荧光材料的单重态和三重态之间的自旋轨道耦合值SOC≥0.05cm^-1。

可选地，在本公开实施例提供的上述热活化延迟荧光材料中，所述热活化延迟荧光材料具有如下式(1)所示的结构：

D-Ln-A   (1)

式(1)中，D为供体基团，L为连接基团，A为受体基团；

其中，D选自咔唑基、芳基氨基、烷基氨基、甲硅烷基、烷氧基、芳氧基、硫基、烷基硫基、芳基硫基、吖啶基、吩噁嗪、噻吩嗪中的至少一种；

L选自单键、-O-、苯基、联苯基、亚环烷基、亚芳基、杂芳基、亚杂环烷基、亚杂环烯基中的至少一种，n为1～4；

A选自包括氟、氰基、三嗪、氰基苯、吡啶、膦氧基、酮羰基、砜基、吡咯基、噻吩基、吡唑基、噻唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、亚非那烯基中的至少一种。

可选地，在本公开实施例提供的上述热活化延迟荧光材料中，所述式(1)选自以下化合物：

相应地，本公开实施例还提供了一种有机发光器件，包括：

阳极层；

阴极层，与所述阳极层相对设置；

发光层，位于所述阳极层和阴极层之间，所述发光层包括主体材料、客体材料以及如权利要求1-3任一项所述的热活化延迟荧光材料。

可选地，在本公开实施例提供的上述有机发光器件中，还包括位于所述发光层和所述阴极层之间的空穴阻挡层，所述空穴阻挡层的材料具有如下式(2)所示的结构：

式(2)中，X1～X12至少其中一个为N；

X为B或N，Y为C或Si，n、m、t、p各自独立在0～4中取整数；

R1～R4各自独立地为取代或未取代的C6-60芳基，或者R1～R4各自独立地为取代或未取代的包含选自N、O和S中的任意一者或更多者的杂原子的C2-60杂芳基；