[发明专利]一种热活化延迟荧光材料、有机发光器件及显示装置

权利要求书

1.一种有机发光器件，其中，包括：

阳极层；

阴极层，与所述阳极层相对设置；

发光层，位于所述阳极层和阴极层之间，所述发光层包括主体材料、客体材料以及热活化延迟荧光材料，所述热活化延迟荧光材料的单重态能级和三重态能级之间的能级差小于0.3eV，所述热活化延迟荧光材料的单重态和三重态之间的自旋轨道耦合值SOC≥0.05cm^-1；

位于所述发光层和所述阴极层之间的空穴阻挡层，所述空穴阻挡层的材料具有如下式(2)所示的结构：

式(2)中，X1～X12至少其中一个为N；

X为B或N，Y为C或Si，n、m、t、p各自独立在0～4中取整数；

R1～R4各自独立地为取代或未取代的C6-60芳基，或者R1～R4各自独立地为取代或未取代的包含选自N、O和S中的任意一者或更多者的杂原子的C2-60杂芳基；

L1为单键，或者L1为取代或未取代的C6-60亚芳基，或者L1为取代或未取代的包含选自N、O和S中的任意一者或更多者的杂原子的C2-60亚杂芳基；

Ar1和Ar2各自独立地为取代或未取代的C6-60芳基，或者Ar1和Ar2各自独立地为取代或未取代的包含选自N、O和S中的任意一者或更多者的杂原子的C2-60杂芳基；

其中，所述式(2)选自以下化合物：

2.如权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述热活化延迟荧光材料具有如下式(1)所示的结构：

D-Ln-A    (1)

式(1)中，D为供体基团，L为连接基团，A为受体基团；

其中，D选自咔唑基、芳基氨基、烷基氨基、甲硅烷基、烷氧基、芳氧基、硫基、烷基硫基、芳基硫基、吖啶基、吩噁嗪基、噻吩嗪基中的至少一种；

L选自单键、-O-、亚环烷基、亚芳基、杂芳基、亚杂环烷基、亚杂环烯基中的至少一种，n为1～4；

A选自包括氟、氰基、三嗪基、氰基苯、膦氧基、酮羰基、砜基、吡咯基、噻吩基、吡唑基、噻唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、亚非那烯基中的至少一种。

3.如权利要求2所述的有机发光器件，其中，所述亚芳基选自苯基、联苯基。

4.如权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述热活化延迟荧光材料选自以下化合物：

5.如权利要求1-4任一项所述的有机发光器件，其中，所述发光层中主体材料的最低三重态能量小于所述空穴阻挡层的最低三重态能量。

6.如权利要求1-4任一项所述的有机发光器件，其中，所述发光层中主体材料的HOMO能级小于所述空穴阻挡层的HOMO能级。

7.如权利要求1-4任一项所述的有机发光器件，其中，所述发光层中的热活化延迟荧光材料的最低三重态能量小于所述空穴阻挡层的最低三重态能量。

8.如权利要求1-4任一项所述的有机发光器件，其中，所述发光层中的热活化延迟荧光材料的HOMO能级小于所述空穴阻挡层的HOMO能级。

9.如权利要求1-4任一项所述的有机发光器件，其中，还包括：位于所述空穴阻挡层和所述阴极层之间的电子传输层，位于所述电子传输层和所述阴极层之间的电子注入层，位于所述发光层和所述阳极层之间的电子阻挡层，位于所述电子阻挡层和所述阳极层之间的空穴传输层，以及位于所述空穴传输层和所述阳极层之间的空穴注入层。

10.如权利要求1-4任一项所述的有机发光器件，其中，所述客体材料为荧光材料或磷光材料。