[发明专利]工艺腔室及半导体工艺设备

说明书

本申请公开一种工艺腔室，包括腔体、承载座、内衬组件、靶材和移动烘烤灯组件，靶材设置于腔体的顶部开口上，内衬组件至少部分位于腔体内，且内衬组件的一端设置于靶材和腔体之间，内衬组件的另一端悬空，承载座设置于腔体内，移动烘烤灯组件包括烘烤灯，烘烤灯可移动地设置于腔体内，选择性地移入或者移出烘烤位置，当烘烤灯位于烘烤位置时，对内衬组件的内壁和靶材的底壁进行烘烤，其中，烘烤位置位于承载座和内衬组件之间，且位于内衬组件的底部开口的下方。上述方案能够解决相关技术中烘烤灯发出的大部分光线被承载座阻挡而导致工艺腔室内的部件得到的照射面积较小，从而导致工艺腔室较难快速形成真空环境的问题。

技术领域

本申请涉及半导体加工工艺技术领域，尤其涉及一种工艺腔室及半导体工艺设备。

背景技术

在半导体的加工过程中，半导体工艺设备通常采用磁控溅射工艺，磁控溅射工艺由于具有镀膜面积大、附着力强等优势，因此被广泛地应用。

磁控溅射工艺需要在真空环境下才能完成，半导体工艺设备包括工艺腔室和真空泵，工艺腔室为了形成真空环境，采用真空泵抽取工艺腔室内的气体，由于工艺腔室的内壁和工艺腔室内的部件通常由不锈钢、铝合金、钛、陶瓷等金属材料及非金属材料制成，金属材料或非金属材料的表面在大气中会吸附很多气体分子，其中，气体分子的释放速度与工艺腔室的内壁和工艺腔室内的部件表面的温度成正比。同时，真空泵也需要将这些气体分子从工艺腔室内抽离。

相关技术中，工艺腔室包括烘烤灯和承载座，烘烤灯和承载座均设置在工艺腔室中，烘烤灯与承载座相对设置，工艺腔室通过烘烤灯照射工艺腔室的内壁和工艺腔室内的部件表面来升温而加快气体分子的释放速度而提高真空泵的工作效率，但烘烤灯发出的大部分光线被承载座阻挡而导致工艺腔室内的部件表面得到的照射面积较小，从而导致工艺腔室较难快速形成真空环境。

发明内容

本申请公开一种工艺腔室及半导体工艺设备，以解决相关技术中烘烤灯发出的大部分光线被承载座阻挡，从而导致工艺腔室内的部件表面得到的照射面积较小，进而导致工艺腔室较难快速形成真空环境的问题。

为解决上述问题，本申请采用下述技术方案：

第一方面，本申请公开一种工艺腔室，用于半导体工艺设备，包括腔体、承载座、内衬组件、靶材和移动烘烤灯组件；

所述靶材设置于所述腔体的顶部开口上，所述内衬组件至少部分位于所述腔体内，且所述内衬组件的一端设置于所述靶材和所述腔体之间，所述内衬组件的另一端悬空，所述承载座设置于所述腔体内，且所述承载座位于所述内衬组件的下方；

所述移动烘烤灯组件包括烘烤灯，所述烘烤灯可移动地设置于所述腔体内，选择性地移入或者移出烘烤位置，当所述烘烤灯位于所述烘烤位置时，对所述内衬组件的内壁和所述靶材的底壁进行烘烤，其中，所述烘烤位置位于所述承载座和所述内衬组件之间，且位于所述内衬组件的底部开口的下方。

第二方面，本申请公开一种半导体工艺设备，包括第一方面所述的工艺腔室。

本申请采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本申请公开的工艺腔室通过对相关技术中的工艺腔室进行改造，使得工艺腔室还包括移动烘烤灯组件，移动烘烤灯组件包括烘烤灯，烘烤灯可移动地设置于腔体内，从而使得烘烤灯根据工艺需要可以选择性地移入或者移出烘烤位置，当烘烤灯移动至烘烤位置时，烘烤灯开启，烘烤灯发出的光线照射至内衬组件的内壁和靶材的底壁，从而使得烘烤灯能够对内衬组件的内壁和靶材的底壁进行烘烤，从而提高内衬组件和靶材的温度，进而使得附着在内衬组件和靶材上的气体分子的释放速度加快，进而有利于工艺腔室较为快速地形成真空环境。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或背景技术中的技术方案，下面将对实施例或背景技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。