[发明专利]一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置有效
| 申请号: | 202110729515.5 | 申请日: | 2021-06-29 | 
| 公开(公告)号: | CN113363405B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 | 
| 发明(设计)人: | 程保龙;周文斌;沈倩;熊佩林;周丽婷;孙剑;高裕弟 | 申请(专利权)人: | 昆山梦显电子科技有限公司 | 
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 | 
| 代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 | 
| 地址: | 215300 江*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供驱动背板;
在所述驱动背板上形成发光层,所述发光层位于所述驱动背板的一侧;
在所述发光层远离所述驱动背板的一侧形成薄膜封装层;所述薄膜封装层包括依次形成的第一无机层、第二无机层和第三无机层;其中,第一无机层和第三无机层中的至少一层通过热原子层沉积方式和等离子体辅助原子层沉积方式交替循环沉积形成。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一无机层的材料包括氧化铝;
通过热原子层沉积方式和等离子体辅助原子层沉积方式交替沉积形成第一无机层包括:
以三甲基铝和水汽为反应前驱体,通过热原子层沉积方式形成第一无机层子层;
以三甲基铝和氧等离子体为反应前驱体,通过等离子体辅助原子层方式形成第二无机层子层;
交替循环形成多层的第一无机层子层和第二无机层子层,以形成所述第一无机层。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述形成第一无机层子层之后,还包括:
通入氧等离子体处理第一无机层子层表面的离子键;
所述形成第二无机层子层之后,还包括:
通入氧等离子体处理第二无机层子层表面的离子键。
4.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第三无机层的材料包括氧化铝;
通过热原子层沉积方式和等离子体辅助原子层沉积方式交替沉积形成第三无机层包括:
以三甲基铝和水汽为反应前驱体,通过热原子层沉积方式形成第三无机层子层;
以三甲基铝和氧等离子体为反应前驱体,通过等离子体辅助原子层方式形成第四无机层子层;
交替循环形成多层的第三无机层子层和第四无机层子层,以形成所述第三无机层。
5.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述形成第三无机层子层之后,还包括:
通入氧等离子体处理第三无机层子层表面的离子键;
所述形成第四无机层子层之后,还包括:
通入氧等离子体处理第四无机层子层表面的离子键。
6.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一无机层的厚度为30nm~50nm;所述第一无机子层的厚度为3nm~5nm;所述第二无机子层的厚度为3nm~5nm;
所述第三无机层的厚度为30nm~50nm;所述第三无机子层的厚度为3nm~5nm;所述第四无机子层的厚度为3nm~5nm。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,形成第二无机层包括:
通过等离子体化学气相沉积方式形成第二无机层。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第二无机层的材料包括氮化硅,所述第二无机层的厚度大于或等于1000nm。
9.一种显示面板,其特征在于,包括:
驱动背板;
发光层,所述发光层位于所述驱动背板的一侧;
薄膜封装层;所述薄膜封装层位于所述发光层远离所述驱动背板的一侧;
其中,所述薄膜封装层包括依次形成的第一无机层、第二无机层和第三无机层;第一无机层和第三无机层中的至少一层基于热原子层沉积方式和等离子体辅助原子层沉积方式交替循环沉积形成。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求9所述的显示面板。
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