[发明专利]一种伪电阻电路及其级联电路

说明书

一种伪电阻电路及其级联电路，伪电阻电路包括晶体管M1，具有第一极、第二极和控制极；所述晶体管M1的第一极、第二极分别与所述第二端、第一端连接；与所述晶体管M1对应的偏置电压产生电路，其两端分别与所述晶体管M1的第一极、控制极连接，用于使得所述晶体管M1的第一极和控制极之间的偏置电压增大；晶体管M2，具有第一极、第二极和控制极；所述晶体管M2的第一极、第二极分别与所述第一端、第二端连接，所述晶体管M2第一极还与其控制极相连。本发明通过偏置电压产生电路Vsubgt;GEN/subgt;来解决当前的伪电阻所存在的一些问题，例如提升等效阻值的线性度等。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，特别涉及一种伪电阻电路及其级联电路。

背景技术

在诸如MOS工艺条件下来制作例如超大阻值(一般为GΩ级别)的电阻时，需要占用极大的面积，因此为了减小实现超大电阻所需芯片面积，本领域技术人员发明人使用诸如MOS晶体管来实现具有超大阻值的伪电阻，从而代替传统电阻。

通过诸如MOS晶体管来实现的伪电阻，仍然存在一些问题。

发明内容

本发明提出了一种一种伪电阻电路及其级联电路，下面具体说明。

根据第一方面，一种实施例中提供一种伪电阻电路，包括：

第一端和第二端；

晶体管M1，具有第一极、第二极和控制极；所述晶体管M1的第一极、第二极分别与所述第二端、第一端连接；

与所述晶体管M1对应的偏置电压产生电路，其两端分别与所述晶体管M1的第一极、控制极连接，用于使得所述晶体管M1的第一极和控制极之间的偏置电压增大；

晶体管M2，具有第一极、第二极和控制极；所述晶体管M2的第一极、第二极分别与所述第一端、第二端连接；

与所述晶体管M2对应的偏置电压产生电路，其两端分别与所述晶体管M2的第一极、控制极连接，用于使得所述晶体管M2的第一极和控制极之间的偏置电压增大。

根据第一方面，一种实施例中提供一种伪电阻电路，包括：

第一端和第二端；

晶体管M1，具有第一极、第二极和控制极；所述晶体管M1的第一极、第二极分别与所述第二端、第一端连接；

与所述晶体管M1对应的偏置电压产生电路，其两端分别与所述晶体管M1的第一极、控制极连接，用于使得所述晶体管M1的第一极和控制极之间的偏置电压增大；

晶体管M2，具有第一极、第二极和控制极；所述晶体管M2的第一极、第二极分别与所述第一端、第二端连接，所述晶体管M2第一极还与其控制极相连。

一实施例中，所述偏置电压产生电路包括：恒流源I，晶体管M和缓冲器Buffer；

所述恒流源I的正极用于连接一电压V_DD，负极与所述晶体管M的第一极连接，所述晶体管M的第一极还与其控制极连接，所述晶体管M的第二极分别与所述缓冲器Buffer的输出端、负极连接；

所述恒流源I的负极、缓冲器Buffer的正极分别作为所述偏置电压产生电路的两端。

一实施例中，所述偏置电压产生电路的晶体管M，与所述偏置产生电路所对应的晶体管，两者类型相同。

一实施例中，所述晶体管M1和晶体管M2都为场效应晶体管；或者，所述晶体管M1和晶体管M2都为双极型晶体管。

一实施例中，所述晶体管M1和晶体管M2都为N型场效应晶体管，或者，所述晶体管M1和晶体管M2都为P型场效应晶体管。