[发明专利]一种基于半导体加工的多晶硅片单面制绒方法

说明书

本发明公开了一种基于半导体加工的多晶硅片单面制绒方法，属于多晶硅加工领域，实现通过摆动气缸带动扩风管将风机释放的风进行摆动吹出，减少直吹对多晶硅片本体带来的影响，同时风力吹动使其在伸缩杆和缓冲机构的辅助下上下运动，并带动挤压锤来回挤压弹性气囊，使其通过L形管沿着多晶硅片本体表面吹风，使水珠快速掉落下来，而色变检测片遇水变色，帮助技术人员判断是否风干彻底，且在摆动过程中，部分风经过导气管鼓入到鼓气管内，吹动鼓入球向绝磁囊体内运动，带动其撑开，使Fe‑Ni合金粉末不能有效的隔绝两个弧形磁铁块之间的磁性相斥影响，带动伸缩囊体向上延伸，使多晶硅片本体左右偏转，使水和残留的废渣滚落下来。

技术领域

本发明涉及多晶硅加工领域，更具体地说，涉及一种基于半导体加工的多晶硅片单面制绒方法。

背景技术

多晶硅，是单质硅的一种形态，熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。在多晶硅加工过程中，制绒是一项重要的工序，通过酸性腐蚀液对硅片表面进行刻蚀，会在多晶硅片表面形成粒状的腐蚀坑，这些腐蚀坑有助于入射光在其表面多次反射，增加了入射进硅片的几率，从而降低了反射率。

目前，单面制绒以其降低硅片损耗和化学品消耗，成为硅片制绒的一个发展趋势，深受人们的喜爱，而在制绒过程中，需要对制绒结束后的多晶硅片进行清洗，去除残留液和残留物，然后进行水洗风干，但是现有技术中风干装置大多为直吹风的形式，容易对多晶硅片造成损坏，且无法有效的判断是否风干彻底，对于残留的废渣无法有效的进行清理，使用效果差。

发明内容

1.要解决的技术问题

针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种基于半导体加工的多晶硅片单面制绒方法，它可以实现通过摆动气缸带动扩风管将风机释放的风进行摆动吹出，减少直吹对多晶硅片本体带来的影响，同时风力吹动使其在伸缩杆和缓冲机构的辅助下上下运动，并带动挤压锤来回挤压弹性气囊，使其通过L形管沿着多晶硅片本体表面吹风，使水珠快速掉落下来，而色变检测片遇水变色，帮助技术人员判断是否风干彻底，且在摆动过程中，部分风经过导气管鼓入到鼓气管内，吹动鼓入球向绝磁囊体内运动，带动其撑开，使Fe-Ni合金粉末不能有效的隔绝两个弧形磁铁块之间的磁性相斥影响，带动伸缩囊体向上延伸，使多晶硅片本体左右偏转，使水和残留的废渣滚落下来，避免残留，而随着风机的持续工作，产生热量随着风一起袭来，U形吸热套内的吸热体配合二氧化碳气体的隔热作用，可以有效的吸收热量，避免高温环境对多晶硅片本体造成影响。

2.技术方案

为解决上述问题，本发明采用如下的技术方案。

一种基于半导体加工的多晶硅片单面制绒方法，包括以下步骤：

S1、取用多晶硅片材料，并对多晶硅片的非制绒面旋涂光刻胶层作为掩膜层；

S2、取用以HF、HNO3为基础的酸腐蚀溶液对多晶硅片的制绒面进行制绒；

S3、制绒结束后，对制绒后的多晶硅片分别进行碱洗和酸洗，然后对制绒后的多晶硅片非制绒面上的掩膜层进行去除；

S4、水洗后，通过风干装置对多晶硅片进行风干处理。