[发明专利]一种基于半导体加工的多晶硅片单面制绒方法

权利要求书

1.一种基于半导体加工的多晶硅片单面制绒方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、取用多晶硅片材料，并对多晶硅片的非制绒面旋涂光刻胶层作为掩膜层；

S2、取用以HF、HNO3为基础的酸腐蚀溶液对多晶硅片的制绒面进行制绒；

S3、制绒结束后，对制绒后的多晶硅片分别进行碱洗和酸洗，然后对制绒后的多晶硅片非制绒面上的掩膜层进行去除；

S4、水洗后，通过风干装置对多晶硅片进行风干处理。

2.根据权利要求1所述的一种基于半导体加工的多晶硅片单面制绒方法，其特征在于：所述S4中的风干装置包括风干底座(1)，所述风干底座(1)的上端转动连接有密封罩(2)，所述密封罩(2)的上端安装有风机(3)，所述风机(3)的下端固定连接有排风管(4)，所述排风管(4)的下端贯穿密封罩(2)的上端，并延伸至其内部，所述排风管(4)的下端转动连接有扩风管(5)，所述密封罩(2)的内顶端安装有摆动气缸(6)，所述摆动气缸(6)的输出端与扩风管(5)固定连接，所述风干底座(1)的上端固定连接有支撑柱，所述支撑柱的上端固定连接有收集箱(8)，所述收集箱(8)的内底端固定连接有固定板(9)，且固定板(9)的前后两端均转动连接有连接杆，所述收集箱(8)的上侧设有操作台(11)，所述操作台(11)的下端与两个连接杆的上端固定连接，所述操作台(11)上端开凿有多个均匀分布的排水孔，所述操作台(11)的上端固定连接有色变检测片(10)，所述操作台(11)的上端靠近左右两端处均固定连接有安装板(14)，所述安装板(14)内设有夹具(13)，所述操作台(11)的上侧设有多晶硅片本体(12)，所述多晶硅片本体(12)的左右两端均与夹具(13)的内壁相接触，所述夹具(13)的上端与安装板(14)的内顶端之间固定连接有伸缩杆(15)，所述夹具(13)的下端与安装板(14)的内底端之间设有缓冲机构，所述安装板(14)的内壁固定连接有弹性气囊(20)，所述弹性气囊(20)内填充有空气，所述弹性气囊(20)的上端固定连接有L形管(21)，且L形管(21)与弹性气囊(20)内部相连通，所述夹具(13)远离多晶硅片本体(12)的一端固定连接有挤压锤(19)，所述挤压锤(19)与弹性气囊(20)相接触。

3.根据权利要求2所述的一种基于半导体加工的多晶硅片单面制绒方法，其特征在于：所述收集箱(8)的上端靠近左右两端处均固定连接有导气管(27)，所述操作台(11)的下端与收集箱(8)的内底端之间固定连接有两个伸缩囊体(28)，所述伸缩囊体(28)的内顶端和内底端均固定连接有弧形磁铁块(33)，所述伸缩囊体(28)靠近导气管(27)的一端开凿有注气孔，所述注气孔内壁固定连接有鼓气管(29)，所述鼓气管(29)远离伸缩囊体(28)的一端与导气管(27)固定连接，所述鼓气管(29)的内顶端固定连接有拉力绳(30)，所述拉力绳(30)靠近伸缩囊体(28)的一端固定连接有鼓入球(31)，所述鼓入球(31)的外端与鼓气管(29)的内壁相接触，所述鼓气管(29)远离导气管(27)的一端固定连接有绝磁囊体(32)，所述鼓入球(31)的外端与绝磁囊体(32)内壁相接触，所述绝磁囊体(32)内填充有Fe-Ni合金粉末，且Ni的含量为80％。

4.根据权利要求2所述的一种基于半导体加工的多晶硅片单面制绒方法，其特征在于：所述扩风管(5)内侧壁之间固定连接有U形吸热套(22)，所述U形吸热套(22)的内壁固定连接有隔膜(23)，所述U形吸热套(22)与隔膜(23)之间填充有吸热流体，所述U形吸热套(22)外端固定连接有隔温囊体(24)，所述隔温囊体(24)内填充有二氧化碳气体，所述扩风管(5)的左右两端内壁均固定连接有吊绳(25)，所述吊绳(25)的下端固定连接有弹性球(26)。

5.根据权利要求2所述的一种基于半导体加工的多晶硅片单面制绒方法，其特征在于：所述缓冲机构包括直筒(17)，所述直筒(17)下端与安装板(14)的内底端固定连接，所述直筒(17)内滑动连接有活塞(18)，所述活塞(18)的下端与安装板(14)的内底端之间固定连接有弹簧，所述活塞(18)的上端固定连接有活动杆(16)，所述直筒(17)的内顶端开凿有通孔，所述活动杆(16)的上端穿过通孔与夹具(13)的下端固定连接。