[发明专利]用于毫米波芯片的功率合成系统

权利要求书

1.一种用于毫米波芯片的功率合成系统，包括一个毫米波芯片，其特征在于，所述功率合成系统集成于所述毫米波芯片上，所述功率合成系统包括n个合成器组；

每个所述合成器组为一级，n个所述合成器组形成从第1级至第n级的功率合成系统，n个所述合成器组按照级别顺序依次级联连接，第i级所述合成器组包括2^i-1个目标合成器；n为大于或者等于二的整数；i为大于或等于一，且小于或等于n的整数；

每级所述合成器组中的所述目标合成器均为第一合成器或均为第二合成器，n个所述合成器组中包括至少一由所述第一合成器组成的合成器组和至少一由所述第二合成器组成的合成器组；其中，

第n级所述合成器组中，每个所述目标合成器的输入端用于输入功率信号；

第i+1级所述合成器组中，每个所述目标合成器的输出端仅与第i级所述合成器组中的一所述目标合成器的一输入端连接，且第i级所述合成器组中，所述目标合成器的一输入端仅与第i+1级所述合成器组中，一所述目标合成器的输出端连接；

第1级所述合成器组中的所述目标合成器的输出端用于输出合成信号。

2.根据权利要求1所述的用于毫米波芯片的功率合成系统，其特征在于，所述目标合成器包括两个输入端和一输出端；所述第一合成器为威尔金森功率合成器；所述第二合成器为集总单元等效的威尔金森功率合成器。

3.根据权利要求2所述的用于毫米波芯片的功率合成系统，其特征在于，所述威尔金森功率合成器包括：第一输入端口、第二输入端口、第一输入端口传输线、第二输入端口传输线、第一隔离电阻、第一端口合功线、第二端口合功线、第一合功端口传输线及第一合功输出端口；其中，

所述第一输入端口通过所述第一输入端口传输线与所述第一端口合功线的一端连接；所述第二输入端口通过所述第二输入端口传输线与所述第二端口合功线的一端连接；所述第一端口合功线的另一端与所述第二端口合功线的另一端连接，且共同连接至所述第一合功端口传输线的一端；所述第一合功端口传输线的另一端与所述第一合功输出端口连接；

所述第一隔离电阻跨接于所述第一输入端口传输线和所述第二输入端口传输线之间。

4.根据权利要求2所述的用于毫米波芯片的功率合成系统，其特征在于，所述集总单元等效的威尔金森功率合成器包括：第三输入端口、第四输入端口、第三输入端口传输线、第四输入端口传输线、第二隔离电阻、第一端口合功电容、第二端口合功电容、第一合功端口电感、第二合功端口电感、合功电容、第二合功端口传输线及第二合功输出端口；其中，

所述第三输入端口通过所述第三输入端口传输线与所述第一合功端口电感的一端连接；所述第四输入端口通过所述第四输入端口传输线与所述第二合功端口电感的一端连接；所述第一合功端口电感的另一端与所述第二合功端口电感的另一端连接，且共同连接至所述第二合功端口传输线的一端和所述合功电容的一端；所述第二合功端口传输线的另一端与所述第二合功输出端口连接；

所述第一合功端口电感的一端还分别与所述第一端口合功电容的一端和所述第二隔离电阻的一端连接；所述第二合功端口电感的一端还分别与所述第二端口合功电容的一端和所述第二隔离电阻的另一端连接；所述第一端口合功电容的另一端、所述第二端口合功电容的另一端及所述合功电容的另一端均接入所述毫米波芯片的芯片衬底。

5.根据权利要求2所述的用于毫米波芯片的功率合成系统，其特征在于，第1级所述合成器组中的所述目标合成器为所述第一合成器，其余的所述合成器组中的所述目标合成器均为所述第二合成器。