[发明专利]半导体工艺设备及其气体输送装置

说明书

本申请公开一种半导体工艺设备及其气体输送装置，气体输送装置用于向半导体工艺设备的工艺腔室中输送工艺气体，其包括混气件和分气件，分气件设置在工艺腔室的盖板上的安装通孔中，分气件与安装通孔配合形成分气通道，混气件设置在盖板上，其中设置有混气腔，分气通道连通混气腔和工艺腔室；混气腔内安装有多个阻挡件，且多个阻挡件形成至少两组沿混气腔的轴向分布的气体阻挡层；任一气体阻挡层均包括至少两个围绕轴向间隔设置的阻挡件；对于任意相邻的两组气体阻挡层，其中一个气体阻挡层的至少一个阻挡件在轴向的投影覆盖另一气体阻挡层中相邻两个阻挡件之间的间隔区域。上述气体输送装置能够提升气体中不同组分的混合程度。

技术领域

本申请属于半导体加工技术领域，具体涉及一种半导体工艺设备及其气体输送装置。

背景技术

在半导体被加工件的加工过程中，通常需要向工艺腔内输送工艺气体，工艺气体可以提供参与反应或净化工艺腔环境等作用。以原子层沉积工艺为例，通常需要向工艺腔内通入多种不同的源气，使源气之间进行反应，形成原子膜沉积在基底的表面。目前的混流器中通常设置有混气腔，不同的源气在载气的作用下经进气管路被送入混气腔内，源气和载气在混气腔内进行混合，且采用一路分四路，四路分八路的结构形式，对初步混合之后的气体进一步混合和分散，最终被送入工艺腔内，这种混气方式较为原始，各混合管路内的气体在混合过程中的流动范围相对局限，混合程度较差。

发明内容

本申请公开一种半导体工艺设备及其气体输送装置，能够提升气体中不同组分的混合程度。

为了解决上述问题，本申请实施例是这样实现地：

第一方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备中的气体输送装置，用于向所述半导体工艺设备的工艺腔室中输送工艺气体，所述气体输送装置包括混气件和分气件，所述分气件设置在所述工艺腔室的盖板上的安装通孔中，所述分气件与所述安装通孔配合形成分气通道，所述混气件设置在所述盖板上，其中设置有混气腔，所述分气通道连通所述混气腔和所述工艺腔室；

所述混气腔内安装有多个阻挡件，且多个所述阻挡件形成至少两组沿所述混气腔的轴向分布的气体阻挡层；任一所述气体阻挡层均包括至少两个围绕所述轴向间隔设置的所述阻挡件；对于任意相邻的两组所述气体阻挡层，其中一个所述气体阻挡层的至少一个所述阻挡件在所述轴向的投影覆盖另一所述气体阻挡层中相邻两个所述阻挡件之间的间隔区域。

第二方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，其包括工艺腔室和上述气体输送装置。

本申请实施例提供一种半导体工艺设备及其气体输送装置，采用该气体输送装置可以向半导体工艺设备的工艺腔室内输送气体。气体输送装置包括混气件和分气件，混气件设有混气腔，混气腔与分气件与工艺腔室的盖板的安装通孔配合形成的分气通道连通，进而与工艺腔室连通，使混气腔内的气体能够通过分气通道输送至工艺腔室内。

混气腔内安装有多个阻挡件，且多个阻挡件能够形成至少两组沿混气腔轴向分布的气体阻挡层，相邻的两组气体阻挡层中，其中一个气体阻挡层的至少一个阻挡件在混气腔的轴向的投影覆盖另一气体阻挡层中相邻两个阻挡件之间的间隔区域。

在这种情况下，当气体被送入混气腔内之后，气体沿混气腔的轴向流动过程会受到气体阻挡层中阻挡件的阻挡，从而使气体只能沿垂直于上述轴向的方向扩散，且自气体阻挡层中任意相邻的两个阻挡件之间的间隔区域继续向下游流动，在气体自位于上游的气体阻挡层中的间隔区域流动至下游的气体阻挡层时，气体又被位于下游的气体阻挡层的阻挡件所进一步阻挡，从而使气体只能继续向垂直于上述轴向的方向扩散，且更加分散地自更多的间隔区域继续向下游流动。在上述过程中，气体可以被阻挡件所阻挡，从而多次沿垂直于混气腔的轴向的方向流动且扩散，这可以使位于混气腔内不同位置处的气体充分混合，且使混合气体中不同种类的气体更好地混合在一起，提升自混气件输出的气体中各组分的混合均匀程度。

附图说明