[发明专利]半导体工艺设备及其气体输送装置

权利要求书

1.一种半导体工艺设备中的气体输送装置，用于向所述半导体工艺设备的工艺腔室中输送工艺气体，其特征在于，所述气体输送装置包括混气件和分气件，所述分气件设置在所述工艺腔室的盖板上的安装通孔中，所述分气件与所述安装通孔配合形成分气通道，所述混气件设置在所述盖板上，其中设置有混气腔，所述分气通道连通所述混气腔和所述工艺腔室；

所述混气腔内安装有多个阻挡件，且多个所述阻挡件形成至少两组沿所述混气腔的轴向分布的气体阻挡层；任一所述气体阻挡层均包括至少两个围绕所述轴向间隔设置的所述阻挡件；对于任意相邻的两组所述气体阻挡层，其中一个所述气体阻挡层的至少一个所述阻挡件在所述轴向的投影覆盖另一所述气体阻挡层中相邻两个所述阻挡件之间的间隔区域。

2.根据权利要求1所述的气体输送装置，其特征在于，对于任意相邻的两组所述气体阻挡层，其中一个所述气体阻挡层中任一所述阻挡件在所述轴向的投影均覆盖另一所述气体阻挡层中对应的相邻两个所述阻挡件之间的间隔区域。

3.根据权利要求1所述的气体输送装置，其特征在于，所述混气腔内还设置有中置柱，且所述中置柱的轴线与所述混气腔的轴线重合，任一所述阻挡件均连接于所述中置柱和所述混气腔的内壁之间。

4.根据权利要求1所述的气体输送装置，其特征在于，所述混气腔为圆柱状结构，任一所述阻挡件均为扇形结构件，且任一所述气体阻挡层中的多个所述阻挡件均匀分布。

5.根据权利要求1所述的气体输送装置，其特征在于，所述阻挡件具有沿所述轴向相背设置的第一表面和第二表面，所述第一表面与所述混气腔轴线之间的夹角小于90°；

和/或所述第二表面与所述混气腔轴线之间的夹角小于90°。

6.根据权利要求1所述的气体输送装置，其特征在于，所述混气件的侧壁上开设有多个进气口，多个所述进气口围绕所述混气腔的轴向均匀且间隔设置；

多个所述进气口上均连接有进气管，多个所述进气管的轴向均与所述混气腔的周向相切。

7.根据权利要求1所述的气体输送装置，其特征在于，所述分气件包括锥形分流盘和分流环，所述锥形分流盘的外周壁和所述安装通孔的侧壁配合形成所述分气通道，所述分气通道一端与所述混气腔连通，另一端通过所述分流环与所述工艺腔室连通；

所述分流环设置在所述锥形分流盘的底部，其中设置有容气槽，所述分流环的内侧壁和外侧壁上均沿周向设置有多个均匀分布的分气孔。

8.根据权利要求7所述的气体输送装置，其特征在于，所述外侧壁上分气孔的数量与所述内侧壁上分气孔的数量的比值为预设值。

9.根据权利要求7所述的气体输送装置，其特征在于，所述外侧壁上分气孔的截面积沿分流环的径向自内向外逐渐减小，所述内侧壁上分气孔的截面积沿径向自外向内逐渐减小。

10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室和如权利要求1-9任一项所述的气体输送装置。