[发明专利]阵列基板及显示装置在审
申请号: | 202110713137.1 | 申请日: | 2021-06-25 |
公开(公告)号: | CN113345949A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 张萌;单奇;李骄阳 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
本发明涉及有机发光领域,公开了一种阵列基板及显示装置。其中,阵列基板,包括:衬底;设置在所述衬底上方的多个发光像素单元和设置在所述衬底上方且连接所述多个发光像素单元的多条金属走线;覆盖多个所述金属走线的多个第一透光件和设置在相邻的所述金属走线之间的多个第二透光件,多个所述第一透光件在所述多条金属走线的排布方向上相互间隔,相邻两个所述第一透光件之间的间隔由一个所述第二透光件填满;所述第一透光件的折射率大于所述第二透光件的折射率。与现有技术相比,本发明实施方式所提供的阵列基板及显示装置具有减弱电路结构产生的纱窗效应的优点。
技术领域
本发明涉及有机发光领域,特别涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)是一种极具发展前景的显示产品,具有薄、轻、宽视角、主动发光、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽以及发光效率高等优点,受到了越来越多面板厂家的青睐。目前,随着便携式电子显示设备的发展,追求高屏占比与极限超窄边框的全面屏的阵列基板已成为中、小尺寸阵列基板领域的研发热点,且已经在手机显示屏上得以应用。目前,全面屏的优势在于能够最大化地利用阵列基板屏幕的显示面积,给使用者带来更好的视觉体验。
然而,为了实现全屏显示,摄像头、指纹识别等传感器结构需要集成到屏幕下方。在全面屏制备过程中,屏下传感器对应的显示区域的像素电极采用三层ITO(氧化铟锡)/Ag(银)/ITO导电层时,虽然可实现正常显示,但像素电极中存在的银金属层会降低膜层穿透率,影响传感器信号传输,进一步影响屏下传感器的信号识别。
此外,本发明的发明人发现,除像素电极中存在的银金属层会降低膜层穿透率外,连接不同像素单元的网格电路结构还会对光线产生衍射,导致传感器接收到的图像存在模糊,叠影等问题,称为纱窗效应。因此,如何减弱纱窗效应也成为一个亟待解决的问题。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种阵列基板及显示装置,减弱金属走线结构产生的纱窗效应。
为解决上述技术问题,本发明的实施方式提供了一种阵列基板,包括:衬底;设置在所述衬底上方的多条金属走线;覆盖多个所述金属走线的多个第一透光件和设置在相邻的所述金属走线之间的多个第二透光件,多个所述第一透光件在所述多条金属走线的排布方向上相互间隔,相邻两个所述第一透光件之间的间隔由一个所述第二透光件填满;所述第一透光件的折射率大于所述第二透光件的折射率。
本发明的实施方式还提供了一种显示装置,包括:如前述的和设置在所述阵列基板下方的光采集组件。
本发明实施方式相对于现有技术而言,在金属走线周围形成第二透光件和第一透光件,多个第一透光件在多条金属走线的排布方向上相互间隔,相邻两个第一透光件之间的间隔由一个第二透光件填满,即第一透光件部分夹设在金属走线和第二透光件之间,由于第一透光件的折射率大于第二透光件的折射率,夹设在金属走线和第二透光件之间的部分第一透光件形成类光纤的光通道,外部光在照射到光通道上时,将在光通道内进行反射并进入底部膜层从而抑制金属走线产生的衍射,减弱电路结构产生的纱窗效应。
优选的,还包括反射层,所述反射层设在所述第一透光件和金属走线之间,所述第一透光件覆盖所述反射层和所述金属走线。
优选的,所述反射层的厚度自所述反射层的中部位置朝向所述反射层的边缘位置逐渐减小。在第一透光件和金属走线之间设置反射层,由于反射层的厚度自反射层的中部位置朝向反射层的边缘位置逐渐减小,照射在反射层上的外部光线发生反射时会有部分被反射到第一透光件形成的光通道内,并经由第一透光件形成的光通道反射传播至位于金属走线底部的光线传感器上,从而将原本被金属走线阻挡的部分外界光线反射至位于金属走线底部的光线传感器上,提升阵列基板整体的透过率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的