[发明专利]阵列基板及显示装置在审
申请号: | 202110713137.1 | 申请日: | 2021-06-25 |
公开(公告)号: | CN113345949A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 张萌;单奇;李骄阳 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底;
设置在所述衬底上方的多条金属走线;
覆盖多条所述金属走线的多个第一透光件和设置在相邻的所述金属走线之间的多个第二透光件,多个所述第一透光件在所述多条金属走线的排布方向上相互间隔,相邻两个所述第一透光件之间的间隔由一个所述第二透光件填满;
所述第一透光件的折射率大于所述第二透光件的折射率。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括反射层,所述反射层设在所述第一透光件和金属走线之间,
所述第一透光件覆盖所述反射层和所述金属走线;
优选的,所述反射层的厚度自所述反射层的中部位置朝向所述反射层的边缘位置逐渐减小。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述反射层为透明反射层,所述反射层的折射率小于所述第一透光件的折射率。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述反射层的折射率大于1.0且小于2.0。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括设置在相邻的两个所述第一透光件之间的第三透光件,所述第二透光件设置在所述第三透光件远离所述衬底一侧的表面上,所述第一透光件和所述第三透光件抵接,所述第三透光件的折射率小于所述第一透光件的折射率。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第三透光件的折射率小于所述第二透光件的折射率。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括设置在所述衬底和所述金属走线之间的多个填充层,所述填充层包括靠近所述衬底的第三表面,与所述第三表面相对设置的第四表面,以及连接所述第三表面和所述第四表面的第二侧壁,所述第四表面与所述金属走线抵接,覆盖每条金属走线的所述第一透光件覆盖与该金属走线抵接的所述填充层的所述第二侧壁。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述填充层为透明填充层。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二透光件的折射率大于1.0且小于2.0,所述第一透光件的折射率大于2.0且小于3.0。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1所述的阵列基板和设置在所述阵列基板下方的光采集组件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的