[发明专利]一种复合膜层用BOE蚀刻液

说明书

本发明涉及一种复合膜层用BOE蚀刻液，按照质量百分比包括以下组分：氢氟酸0.5％～2％、氟化铵25％～30％、添加剂0.004%~0.01%、超纯水67.99％～74.496%，其中添加剂为正辛酸。本发明的复合膜层用BOE蚀刻液可用于单一基材的同时可兼顾复合基材，通过调整表面张力，即可同时兼顾CD lose和所需角度。

技术领域

本发明属于蚀刻液技术领域，具体涉及一种复合膜层用BOE蚀刻液。

背景技术

湿法蚀刻是半导体加工中不可或缺的工艺，缓冲氧化物蚀刻液（BOE）通常由氟化铵、氢氟酸、水组合而成，通过去除半导体薄膜未被光阻覆盖的氧化层部分，从而达到蚀刻的目的，氧化层一般为NSG（Nondoped Silicate Glass，无渗入杂质硅酸盐玻璃）、BPSG(Boro-phospho-silicate Glass，硼磷硅酸盐玻璃)或以上两种的复合层。

常用的BOE蚀刻液一般只能蚀刻一种氧化层，无法在复合层基材上蚀刻；且常用BOE蚀刻液表面张力很大，对蚀刻层的润湿性很差，导致蚀刻图案严重变形，一般通过在BOE蚀刻组合物中加入表面活性剂降低表面张力，改善蚀刻效果，但含有表面活性剂的BOE蚀刻液对基材的接触角较大，并且渗透复杂微观表面的能力较差，不能保证蚀刻图案的整齐划一。

中国专利CN201410764798.7公开了一种双氧水系铜钼合金膜用蚀刻液，包括占蚀刻液总质量1-35%的过氧化氢、0.05-5%的无机酸、0.1-5%的过氧化氢稳定剂、0.1-5%的金属螯合剂、0.1-5%的蚀刻添加剂、0.1-5%的表面活性剂和0.1-5%的消泡剂，余量为去离子水，其蚀刻液中添加的表面活性剂对基材的接触角较大，并且渗透复杂微观表面的能力较差，不能保证蚀刻图案的整齐划一，且需另加入消泡剂来提高性能。

发明内容

本发明的目的是提供一种复合膜层用BOE蚀刻液，其可用于单一基材的同时可兼顾复合基材，通过调整表面张力，即可同时兼顾CD lose和所需角度。

本发明解决上述问题所采用的技术方案为：一种复合膜层用BOE蚀刻液，按照质量百分比包括以下组分：

氢氟酸0.5%～2%、氟化铵25%～30%、添加剂0.004%~0.01%、超纯水67.99%～74.496%，其中添加剂为正辛酸。

优选的，所述氢氟酸的纯度等级为UPS级。

优选的，所述氟化铵的纯度等级为UP级。

优选的，所述超纯水的电阻不低于15MΩ·cm，超纯水中的盐含量不高于0.2mg/L。

优选的，所述BOE蚀刻液的pH为3~5。

与现有技术相比，本发明的优点在于：

（1）本发明的复合膜层用BOE蚀刻液，不仅可用于单一氧化层（NSG或BPSG）的蚀刻，还可用于复合氧化层（NSG、BPSG复合层）的蚀刻，且能够在温和的工作条件下对膜层高效且高精度进行蚀刻。

（2）本发明通过控制正辛酸添加量，不仅可以调节蚀刻液的pH，还可以调整表面张力，可同时兼顾CD lose和所需角度，提高蚀刻的效果；且添加正辛酸有效抑制气泡，没有大量泡沫产生，避免影响产线使用。。

具体实施方式

以下结合实施例对本发明作进一步详细描述。

实施例1

一种复合膜层用BOE蚀刻液，按照质量百分比包括以下组分：

氢氟酸1％、氟化铵25％、添加剂正辛酸0.006%、剩余为超纯水。

其中，氢氟酸的纯度等级为UPS级，氟化铵的纯度等级为UP级，超纯水的电阻为18MΩ·cm，超纯水中的盐含量为0.15mg/L。

实施例2