[发明专利]吸附机构及吸附系统在审
| 申请号: | 202110708390.8 | 申请日: | 2021-06-25 |
| 公开(公告)号: | CN113410174A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
| 发明(设计)人: | 吴火亮;江旭初;徐腾肖;董亚聪 | 申请(专利权)人: | 上海隐冠半导体技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海上谷知识产权代理有限公司 31342 | 代理人: | 陈程;蔡继清 |
| 地址: | 200135 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 吸附 机构 系统 | ||
1.一种吸附机构,其特征在于,包括:
吸盘,所述吸盘内开设有第一气道和第二气道,且所述吸盘的底部开设有与所述第一气道相通的进气孔;所述吸盘内还设有与所述第二气道相通且贯穿所述吸盘的顶部的走气通道;
交接装置,所述交接装置设置在所述吸盘中;所述交接装置具有支撑杆,且所述支撑杆
用于在所述第一气道内通入气体时被所述气体顶出所述吸盘的顶部;以及;
单向控制阀,设置在所述吸盘内,连接所述第一气道和所述第二气道;其中所述单向控制阀用于在所述第一气道内通入气体时关闭,还用于在抽出所述第一气道内气体时打开。
2.根据权利要求1所述的吸附机构,其特征在于,所述第一气道径向延伸。
3.根据权利要求2所述的吸附机构,其特征在于,所述进气孔与所述吸盘同轴设置。
4.根据权利要求1或2所述的吸附机构,其特征在于,至少一个所述第一气道具有延伸至所述吸盘侧壁上的第一开口端,所述第一开口端处设置有第一堵头。
5.根据权利要求1所述的吸附机构,其特征在于,所述第二气道径向延伸。
6.根据权利要求1或5所述的吸附机构,其特征在于,所述第二气道具有延伸至所述吸盘侧壁上的第二开口端,所述第二开口端处设置有第二堵头,所述第二堵头上开设有节流孔。
7.根据权利要求1或5所述的吸附机构,其特征在于,所述第二气道与多条所述走气通道相连通,且所述多条所述走气通道沿所述第二气道的延伸方向顺次排列。
8.根据权利要求1所述的吸附机构,其特征在于,一条所述第二气道上的多条所述走气通道贯穿所述吸盘的顶部形成一个吸附区;所述第二气道为多条,多条所述第二气道对应的多个所述吸附区在所述吸盘上均匀分布。
9.根据权利要求8所述的吸附机构,其特征在于,多个所述吸附区沿所述吸盘周向以相同角度间隔开。
10.根据权利要求1所述的吸附机构,其特征在于,所述第二气道具有多条,一个所述单向控制阀对应多条所述第二气道中的至少部分。
11.根据权利要求1所述的吸附机构,其特征在于,所述第一气道与所述第二气道数量相同,且一一对应,相对应的所述第一气道和所述第二气道的延伸方向一致。
12.根据权利要求1所述的吸附机构,其特征在于,所述交接装置具有多个,且各所述交接装置沿所述吸盘的周向以相同角度间隔开。
13.根据权利要求1所述的吸附机构,其特征在于,所述交接装置嵌入在所述吸盘中,且至少一个所述第一气道直接或间接地通向所述支撑杆的底面。
14.根据权利要求13所述的吸附机构,其特征在于,所述交接装置还包括具有内腔的外壳,且所述外壳的顶部不高于所述吸盘的顶部;
所述外壳包括:壳体、设置在所述壳体的顶部的压盖、设置在所述壳体的底部的限位堵头,且所述壳体围绕所述压盖和所述限位堵头形成所述内腔;
所述壳体的侧壁上开设有对接连通所述第一气道和所述内腔的通孔;所述压盖上开设有开口,所述支撑杆与所述壳体的内壁可滑动地密封连接,且所述支撑杆可活动地贯穿所述压盖的开口或收缩进入所述内腔内;
所述限位堵头具有凸出至所述内腔中的凸出部,所述凸出部用于支撑所述支撑杆的下底面;且所述凸出部的顶面高于所述通孔的内壁的下部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





