[发明专利]近场通信装置

权利要求书

1.一种近场装置，其特征在于，包括：

导电外壳，所述导电外壳以物理方式耦合到近场天线；

近场天线，所述近场天线具有第一馈电点和第二馈电点，并且包括：

具有耦合到所述第一馈电点的第一末端以及耦合到所述第二馈电点的第二末端的第一感应线圈；

以电容方式耦合到所述导电外壳且以电流方式耦合到所述第一感应线圈的所述第一末端的第一导电板；

以电容方式耦合到所述导电外壳且以电流方式耦合到所述第一感应线圈的所述第二末端的第二导电板；

其中所述第一导电板以电容方式耦合到所述第二导电板；

调谐电路，所述调谐电路耦合到所述第一馈电点和所述第二馈电点，并且包括：

第一电容组、第二电容组、第一电阻组以及第二电阻组；

其中每一个所述电容组的一个末端和每一个所述电阻组的一个末端耦合到所述第一馈电点或所述第二馈电点；

基准电位；

其中每一个所述电容组的另一末端和每一个所述电阻组的另一末端耦合到所述基准电位；并且

其中所述导电外壳以电流方式耦合到所述基准电位；

其中所述第一感应线圈被配置成接收或发射近场磁信号；并且

其中所述第一导电板和所述第二导电板以及所述导电外壳被配置成接收或发射近场电信号。

2.根据权利要求1所述的装置：

其特征在于，所述第一导电板与所述导电外壳相隔距离D1，产生电容Ca1；

其中所述第二导电板与所述导电外壳相隔距离D2，产生电容Ca2；并且

其中所述第一导电板与所述第二导电板相隔距离D3，产生电容Ca3。

3.根据权利要求2所述的装置：

其特征在于，D2大于D1；并且

其中D2大于D3。

4.根据权利要求2所述的装置：

其特征在于，以法拉为单位的C_a1＝(A₁∈_o∈_r1)/D₁，其中：A₁＝所述第一导电板的有效表面积；D₁＝所述第一导电板与所述导电外壳之间的距离；∈_o＝自由空间的电容率；并且∈_r1＝所述第一导电板与所述导电外壳之间的材料的相对电容率；并且

其中所述材料包括铁氧体。

5.根据权利要求2所述的装置：

其特征在于，C_a2＝(A₂∈_o∈_r2)/D₂，其中：A₂＝面向所述导电外壳的所述第二导电板的有效表面积；D₂＝所述第二导电板与所述导电外壳之间的距离；∈_o＝自由空间的电容率；并且∈_r2＝所述第二导电板与所述导电外壳之间的材料的相对电容率；并且

其中所述材料包括铁氧体和非铁氧体衬底。

6.根据权利要求2所述的装置：

其特征在于，C_a3＝(A₃∈_o∈_r3)/D₃，其中：A₃＝所述第一导电板与所述第二导电板之间的有效表面积；D₃＝所述第一导电板与所述第二导电板之间的距离；∈_o＝自由空间的电容率；并且∈_r3＝所述第一导电板与所述第二导电板之间的材料的相对电容率；并且

其中所述材料为非铁氧体衬底。