[发明专利]沉积装置

权利要求书

1.一种沉积装置，包括：

腔；

沉积源，在所述腔中；

掩模组件，在所述沉积源上方并且配置为支承其上的基础衬底；以及

压合部分，包括在所述基础衬底上方的支承板和具有磁力的磁板，

其中，所述掩模组件包括：

框架，其中限定框架开口，所述框架开口配置为暴露所述基础衬底的至少一部分；

多个支承棒，与所述框架联接以与所述框架开口重叠；以及

掩模，在所述框架和所述支承棒上，并且在所述掩模中限定多个沉积孔，

其中，所述支承棒具有10emu/g或更大并且100emu/g或更小的磁矩。

2.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，所述支承棒中的每个具有20μm或更大并且200μm或更小的厚度。

3.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，所述磁板与所述掩模之间的磁力大于所述磁板与所述支承棒之间的磁力。

4.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，所述掩模的磁矩大于所述支承棒的所述磁矩。

5.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，所述支承棒中的每个包括不锈钢，并且所述掩模包括镍或镍合金。

6.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，所述沉积源包括有机材料，并且配置为蒸发所述有机材料以将蒸发的所述有机材料注入到所述框架开口。

7.根据权利要求1所述的沉积装置，还包括底座部分，所述底座部分配置为支承所述掩模组件。

8.根据权利要求1所述的沉积装置，还包括传送部分，包括：

传送杆，与所述压合部分连接，并且位于所述腔中；以及

传送主体，与所述传送杆连接以控制所述传送杆，并且位于所述腔外部。

9.根据权利要求8所述的沉积装置，其中，当所述压合部分通过所述传送部分接触所述基础衬底时，施加到所述支承棒的拉力为0。

10.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，所述基础衬底包括：

基础层；

电路器件层，在所述基础层上并且包括晶体管，所述晶体管包括多个电极；

像素限定层，在所述电路器件层上，并且在所述像素限定层中限定多个显示开口；

第一电极，其中至少一部分由所述显示开口暴露；以及

空穴控制层，在所述像素限定层上，

其中，所述多个沉积孔中的至少一部分与所述显示开口重叠。

11.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，所述多个沉积孔中的一部分被所述支承棒覆盖，以及

所述多个沉积孔中的剩余沉积孔由所述支承棒暴露。

12.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，所述框架包括：

第一延伸部和第二延伸部，在第一方向上彼此相对；以及

第三延伸部和第四延伸部，在与所述第一方向相交的第二方向上彼此相对，并且各自连接所述第一延伸部和所述第二延伸部。

13.根据权利要求12所述的沉积装置，其中，所述支承棒中的每个的第一端焊接到所述第一延伸部，并且所述支承棒中的每个的第二端焊接到所述第二延伸部，使得所述支承棒联接到所述框架。