[发明专利]太阳能电池及太阳能电池模组在审

专利信息
申请号: 202110702706.2 申请日: 2015-10-14
公开(公告)号: CN113437163A 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 大塚宽之 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H01L31/0288 分类号: H01L31/0288;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 向勇;崔炳哲
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 模组
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池,其特征在于,

所述太阳能电池具备:P型硅基板,所述P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面;

N型层,所述N型层形成于所述P型硅基板的所述受光面;

受光面电极,所述受光面电极与所述N型层电接触;以及

背面电极,所述背面电极在设置于所述P型硅基板的背面的多个接触区域与所述P型硅基板电接触,

所述P型硅基板掺有镓且由通过CZ法得到的晶棒制作而成,所述P型硅基板的电阻率Rsub[Ω·cm]为0.2~2.5Ω·cm,设置于所述背面的所述多个接触区域的面积的总和为整个所述背面的20%以下,

所述多个接触区域形成有规则的图案,所述多个接触区域的间距Prm[mm]为0.1~10mm,规定所述间距Prm与所述P型硅基板的电阻率Rsub满足下述式,

log10(Rsub)≤-log10(Prm)+1.0,

将所述间距Prm设为横轴、将所述电阻率Rsub设为纵轴时,短路电流密度的平均值为37mA/cm2以上,相对于所述电阻率Rsub的变化,所述短路电流密度的平均值的变化小。

2.如权利要求1所述的太阳能电池,其中,

当所述间距Prm为1mm且所述电阻率Rsub为0.2Ω·cm时,所述短路电流密度的平均值约为38mA/cm2;当所述间距Prm为1mm且所述电阻率Rsub为2.5Ω·cm时,所述短路电流密度的平均值约为39mA/cm2

3.一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,

所述太阳能电池具备:P型硅基板,所述P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面;

多个背面电极,所述多个背面电极部分地形成在所述背面上;

N型层,所述N型层形成于所述P型硅基板的所述受光面的至少一部分;以及

接触区域,所述接触区域是所述P型硅基板与所述背面电极接触的接触区域,

所述太阳能电池的制造方法包括:

在所述受光面上形成受光面钝化膜,并且在背面上形成背面钝化膜的工序;

去除所述背面钝化膜的一部分,并形成作为所述接触区域的开口的工序;

在所述受光面上印刷受光面电极用浆料,并且在所述背面上印刷背面电极用浆料的工序;

将所述受光面电极用浆料以及所述背面电极用浆料进行烧成,形成电极的工序;

基于由下述式(1)表示的所述多个背面电极的背面电极间距Prm[mm]与所述P型硅基板的电阻率Rsub[Ω·cm]的关系,对去除背面钝化膜的一部分的间距进行确定的工序,所述间距与形成作为所述接触区域的开口的间距相对应,

log10(Rsub)≤-log10(Prm)+1.0 (1);

在将所述浆料进行印刷之前,为了形成所述背面电极与所述P型硅基板的电连接,以与所述已确定的所述间距相对应的方式,去除所述背面钝化膜的一部分的工序。

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