[发明专利]存储器阵列器件及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器阵列器件，包括：

晶体管的堆叠件，位于半导体衬底上方，所述晶体管的堆叠件包括位于第二薄膜晶体管上方的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括：

第一存储器膜，沿着第一字线；和

第一沟道区域，沿着第一源极线和第一位线，其中，所述第一存储器膜设置在所述第一沟道区域和所述第一字线之间；

所述第二薄膜晶体管包括：

第二存储器膜，沿着第二字线；和

第二沟道区域，沿着所述第一源极线和所述第一位线，其中，所述第二存储器膜设置在所述第二沟道区域和所述第二字线之间；

第一阶梯通孔，电连接至所述第一字线，所述第一阶梯通孔具有第一宽度；以及

第二阶梯通孔，电连接至所述第二字线，所述第二阶梯通孔包括第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。

2.根据权利要求1所述的存储器阵列器件，其中，所述第一阶梯通孔位于距所述晶体管的堆叠件第一距离处，并且其中，所述第二阶梯通孔位于距所述晶体管的堆叠件第二距离处，所述第二距离大于所述第一距离。

3.根据权利要求2所述的存储器阵列器件，其中，所述第一阶梯通孔在所述第一字线的第一延伸部上居中，其中，所述第二阶梯通孔在所述第二字线的第二延伸部上居中，其中，所述第一字线的所述第一延伸部为所述第一字线的延伸超出所述第一字线上方的第三字线的部分，并且其中，所述第二字线的所述第二延伸部为所述第二字线的延伸超出所述第一字线的部分。

4.根据权利要求2所述的存储器阵列器件，其中，所述第一阶梯通孔位于沿着所述第一字线的第一延伸部的第三距离处，并且其中，所述第二阶梯通孔位于沿着所述第二字线的第二延伸部的所述第三距离处，其中，所述第一字线的所述第一延伸部为所述第一字线的延伸超出所述第一字线上方的第三字线的部分，并且其中，所述第二字线的所述第二延伸部为所述第二字线的延伸超出所述第一字线的部分。

5.根据权利要求2所述的存储器阵列器件，其中，所述第一宽度在10nm至500nm的范围内。

6.根据权利要求5所述的存储器阵列器件，其中，所述第二宽度与所述第一宽度的比率在1:1至50:1的范围内。

7.根据权利要求5所述的存储器阵列器件，其中，所述第一阶梯通孔和所述第二阶梯通孔包括在多个阶梯通孔中，其中，所述多个阶梯通孔中的第n阶梯通孔的宽度等于第n宽度W(n)，其中，所述第n宽度W(n)＝[W(0)+W(0)/n]，其中，W(0)为所述第一宽度，并且n为正整数。

8.一种存储器阵列器件，包括：

半导体衬底；

字线堆叠件；

第一阶梯通孔，连接至所述字线堆叠件的第一字线，所述第一阶梯通孔包括第一宽度和第一高度；

第二阶梯通孔，连接至所述字线堆叠件的第二字线，所述第一字线位于所述第二字线上方，所述第二阶梯通孔包括第二宽度和第二高度，所述第二宽度大于所述第一宽度，并且所述第二高度大于所述第一高度；以及

存储器单元堆叠件，所述存储器单元堆叠件包括：

第一薄膜晶体管，其中，所述第一字线的部分提供所述第一薄膜晶体管的栅电极；和

第二薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管设置在所述第二薄膜晶体管上方，并且其中，所述第二字线的部分提供所述第二薄膜晶体管的栅电极。

9.根据权利要求8所述的存储器阵列器件，其中，所述第一阶梯通孔位于距所述存储器单元堆叠件第一距离处，并且所述第二阶梯通孔位于距所述存储器单元堆叠件第二距离处，所述第二距离大于所述第一距离。

10.一种形成存储器阵列器件的方法，包括：

在导电层的多层堆叠件的第一区域中形成存储器单元的堆叠件，第一导电层的部分是所述存储器单元的堆叠件中的第一存储器单元的栅电极，并且第二导电层的部分是所述存储器单元的堆叠件中的第二存储器单元的栅电极；

在所述导电层的多层堆叠件的第二区域中形成导电阶梯结构；

在所述导电阶梯结构上方形成介电层；

通过形成穿过所述介电层的第一开口暴露所述第一导电层，所述第一开口包括第一宽度并且位于距所述第一区域第一距离处；

通过形成穿过所述介电层的第二开口暴露所述第二导电层，所述第二开口包括第二宽度并且位于距所述第一区域第二距离处，所述第二宽度大于所述第一宽度，并且所述第二距离大于所述第一距离；

在所述第一开口中形成第一导电通孔；以及

在所述第二开口中形成第二导电通孔。