[发明专利]模拟开关布置

说明书

一种模拟开关布置，包括：模拟开关，所述模拟开关包括在输入端与输出端之间并联的第一晶体管和第二晶体管；以及输入晶体管布置，所述输入晶体管布置包括第一控制晶体管、第二控制晶体管、第一电压控制晶体管和第二电压控制晶体管。所述第一晶体管和所述第二晶体管两者的栅极端被配置成接收第一控制信号和第二控制信号，以用于控制所述模拟开关在接通状态与断开状态之间切换。所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管两者的栅极端被配置成基于所述输出端处的电压接收电压，以在所述模拟开关处于所述断开状态时基于所述输出端处的所述电压提供对施加于所述输入端处的电压的控制。

技术领域

本公开涉及包括模拟开关和输入晶体管布置的模拟开关布置。

背景技术

多路复用器通常包括多个开关，所述多个开关可以包括模拟开关。模拟比较器可以包括多个多路复用器，且因此可以包括多个模拟开关。

发明内容

根据本公开的第一方面，提供一种模拟开关布置，包括：

模拟开关，所述模拟开关包括在输入端与输出端之间与第二晶体管并联的第一晶体管，其中所述第一晶体管的栅极端被配置成接收第二控制信号并且其中所述第二晶体管的栅极端被配置成接收第一控制信号，其中所述第一控制信号和所述第二控制信号提供对使所述模拟开关在接通状态与断开状态之间切换的控制；

输入晶体管布置，所述输入晶体管布置包括链，所述链包括第一控制晶体管，所述第一控制晶体管具有耦合到被配置成接收电源电压的电源电压端的第一端以及耦合到第一电压控制晶体管的第一端的第二端，所述第一电压控制晶体管的第二端耦合到第二电压控制晶体管的第一端，所述第二电压控制晶体管的第二端耦合到第二控制晶体管的第一端且所述第二控制晶体管的第二端耦合到被配置成耦合到基准电压的接地端；

其中所述输入端耦合到所述第一电压控制晶体管的所述第二端和所述第二电压控制晶体管的所述第一端；并且

所述第一控制晶体管的栅极被配置成接收所述第二控制信号，并且所述第二控制晶体管的栅极被配置成接收所述第一控制信号，其中所述第一控制晶体管和所述第二控制晶体管被配置成在所述模拟开关处于所述断开状态时将所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管耦合到所述电源电压端和所述接地端；并且

所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管两者的栅极端被配置成基于所述输出端处的电压接收电压，并且其中所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管被配置成在所述模拟开关处于所述断开状态时基于所述输出端处的所述电压提供对施加于所述输入端处的电压的控制。

在一个或多个例子中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、第一控制晶体管、所述第二控制晶体管、所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管中的一个或多个是MOSFET。

在一个或多个实施例中，所述第一晶体管是NMOS晶体管，并且所述第二晶体管是PMOS晶体管。

在一个或多个实施例中，所述第一控制晶体管和所述第二控制晶体管被配置成在所述模拟开关处于所述接通状态时使所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管从所述电源电压端和所述接地端去耦。

在一个或多个实施例中，所述第一控制晶体管的主体耦合到所述电源电压端，并且所述第二控制晶体管的主体耦合到所述接地端。

在一个或多个实施例中，所述第一控制晶体管的所述主体被配置成耦合到第一基准电压，并且所述第二控制晶体管的所述主体被配置成耦合到第二基准电压，其中所述第一基准电压大于所述第二基准电压，并且其中

所述第一电压控制晶体管的主体被配置成耦合到第三基准电压，其中所述第三基准电压是形成有所述模拟开关和输入晶体管布置的基板的电压，并且所述第二电压控制晶体管的主体被配置成耦合到第四基准电压，其中所述第四基准电压基于所述输入端处的所述电压。