[发明专利]模拟开关布置在审
申请号: | 202110701289.X | 申请日: | 2021-06-23 |
公开(公告)号: | CN115514356A | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 陈剑洛;吴建舟;莫易昆 | 申请(专利权)人: | 恩智浦美国有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模拟 开关 布置 | ||
1.一种模拟开关布置,其特征在于,包括:
模拟开关,所述模拟开关包括在输入端与输出端之间与第二晶体管并联的第一晶体管,其中所述第一晶体管的栅极端被配置成接收第二控制信号并且其中所述第二晶体管的栅极端被配置成接收第一控制信号,其中所述第一控制信号和所述第二控制信号提供对使所述模拟开关在接通状态与断开状态之间切换的控制;
输入晶体管布置,所述输入晶体管布置包括链,所述链包括第一控制晶体管,所述第一控制晶体管具有耦合到被配置成接收电源电压的电源电压端的第一端以及耦合到第一电压控制晶体管的第一端的第二端,所述第一电压控制晶体管的第二端耦合到第二电压控制晶体管的第一端,所述第二电压控制晶体管的第二端耦合到第二控制晶体管的第一端且所述第二控制晶体管的第二端耦合到被配置成耦合到基准电压的接地端;
其中所述输入端耦合到所述第一电压控制晶体管的所述第二端和所述第二电压控制晶体管的所述第一端;并且
所述第一控制晶体管的栅极被配置成接收所述第二控制信号,并且所述第二控制晶体管的栅极被配置成接收所述第一控制信号,其中所述第一控制晶体管和所述第二控制晶体管被配置成在所述模拟开关处于所述断开状态时将所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管耦合到所述电源电压端和所述接地端;并且
所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管两者的栅极端被配置成基于所述输出端处的电压接收电压,并且其中所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管被配置成在所述模拟开关处于所述断开状态时基于所述输出端处的所述电压提供对施加于所述输入端处的电压的控制。
2.根据在前的任一项权利要求所述的模拟开关布置,其特征在于,所述第一控制晶体管和所述第二控制晶体管被配置成在所述模拟开关处于所述接通状态时使所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管从所述电源电压端和所述接地端去耦。
3.根据在前的任一项权利要求所述的模拟开关布置,其特征在于,所述第一控制晶体管的主体耦合到所述电源电压端,并且所述第二控制晶体管的主体耦合到所述接地端。
4.根据权利要求1所述的模拟开关布置,其特征在于,所述第一控制晶体管的所述主体被配置成耦合到第一基准电压,并且所述第二控制晶体管的所述主体被配置成耦合到第二基准电压,其中所述第一基准电压大于所述第二基准电压,并且其中
所述第一电压控制晶体管的主体被配置成耦合到第三基准电压,其中所述第三基准电压是形成有所述模拟开关和输入晶体管布置的基板的电压,并且所述第二电压控制晶体管的主体被配置成耦合到第四基准电压,其中所述第四基准电压基于所述输入端处的所述电压。
5.根据在前的任一项权利要求所述的模拟开关布置,其特征在于,所述模拟开关布置被配置成在包括第一模式和第二模式的至少两种模式中操作,其中:
在所述第一模式中,所述模拟开关处于所述接通状态且导电以耦合所述输入端和所述输出端,并且其中所述第一控制晶体管和所述第二控制晶体管不导电且所述输入端处的所述电压不受所述输入晶体管布置控制;并且
在所述第二模式中,所述模拟开关处于所述断开状态且不导电,并且其中所述第一控制晶体管和所述第二控制晶体管导电且所述输入端处的所述电压借助于所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管受所述输出端处的所述电压控制。
6.根据在前的任一项权利要求所述的模拟开关布置,其特征在于,所述第二晶体管的源极端耦合到所述输入端且所述第二晶体管的漏极端耦合到所述输出端,并且所述第二晶体管的主体被配置成耦合到所述第二晶体管的所述源极端;并且
其中所述第一晶体管的源极端耦合到所述输入端且所述第一晶体管的漏极端耦合到所述输出端,并且所述第一晶体管的主体被配置成耦合到所述接地端以接收所述基准电压。
7.根据在前的任一项权利要求所述的模拟开关布置,其特征在于,所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管中的一个的主体被配置成耦合到基板,所述模拟开关和输入晶体管布置形成于所述基板中,并且所述第一电压控制晶体管和所述第二电压控制晶体管中的另一个的主体被配置成耦合以接收第一电压。
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