[发明专利]一种黑色矩阵的制备方法

说明书

本发明涉及一种黑色矩阵的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)在基底上依次涂覆黑色聚合物和光刻胶；(2)将光刻胶划分为曝光区和非曝光区，并将曝光区的光刻胶进行曝光和显影；(3)再将步骤(2)所得样品表面镀抗刻蚀的金属层；(4)然后将非曝光区的光刻胶和金属层剥离；(5)最后刻蚀非曝光区的黑色聚合物，得到所述黑色矩阵。本发明所述制备方法可大面积制备高深宽比的黑色矩阵，工艺简单，可行性高。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种黑色矩阵的制备方法。

背景技术

Micro-LED技术是指在芯片上集成高密度的微小尺寸LED阵列，像素点间距在微米级，Micro-LED可以实现超高电流密度、超低功耗、超快响应速度、超高分辨率等优势，在多个领域都展现出广阔的应用前景。实现Micro-LED彩色化是显示应用的重要研究方向，其中基于发光材料的颜色转换法是一种便捷、可行的方法。

颜色转换法是利用蓝光Micro-LED来激发发光材料，从而实现红、绿、蓝三色。发光材料一般选用新型的发光介质量子点，因其具有发光波长可调、波长覆盖范围广、荧光光谱窄而对称以及发光效率高等优势，可以高效地实现红、绿颜色的转换。而将红、绿量子点直接沉积在蓝光Micro-LED芯片，在微小像素间距的阵列中由蓝光芯片转换的红光和绿光容易产生颜色串扰。一般使用黑色矩阵将单个像素分隔开来，从而可以保证超高的分辨率和对比度。利用颜色转换法来实现Micro-LED全彩化，由于氮化镓基蓝光LED的效率高，量子点要达到一定的厚度才能完全吸收和转换蓝光，因此黑色矩阵也需要达到足够高的厚度和高的深宽比。

CN107991803A公开了一种黑色矩阵的制作方法，其公开的制作方法包括如下步骤：提供一基板，所述基板上设置有对位标记；在所述基板上涂覆一黑色矩阵薄膜；将涂覆有黑色矩阵薄膜的所述基板放入曝光机中，并对所述基板进行预对位，将所述标记装置移动到所述对位标记的上方，进行标记处理，得到光阻标记；根据所述光阻标记识别所述对位标记的位置，进行精确对位后，图案化所述黑色矩阵薄膜，形成黑色矩阵。其公开的制作方法提高了黑色矩阵的制作效率，但是其公开的制作方法主要是光刻的手段，所得的黑色矩阵深宽比较低。

CN109887966A公开了一种彩色滤光片黑色矩阵制作方法，其公开的彩色滤光片黑色矩阵制作方法，其公开的制作方法包括在玻璃基板清洗后，在玻璃基板上沉积铬金属薄膜；经过涂胶曝光显影光刻工艺，再经过蚀刻，形成金属铬矩阵；将玻璃基板通过等离子体氧化处理，形成表面的黑色氧化铬层。采用其公开的制作方法，可以形成超细的黑色氧化铬矩阵，降低或消除漏光现象。但是铬金属所形成的黑色矩阵较低，深宽比不能满足更高的工艺要求。

综上所述，开发一种能够制备高深宽比的黑色矩阵的工艺至关重要。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种黑色矩阵的制备方法，所述制备方法可大面积制备高深宽比的黑色矩阵，工艺简单，可行性高。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供一种黑色矩阵的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

(1)在基底上依次涂覆黑色聚合物和光刻胶；

(2)将光刻胶划分为曝光区和非曝光区，并将曝光区的光刻胶进行曝光和显影；

(3)再将步骤(2)所得样品表面镀抗刻蚀金属层；

(4)然后将非曝光区的光刻胶和金属层剥离；

(5)最后刻蚀非曝光区的黑色聚合物，得到所述黑色矩阵。