[发明专利]镭射切割方法、装置及计算机可读存储介质有效
| 申请号: | 202110699385.5 | 申请日: | 2021-06-23 |
| 公开(公告)号: | CN113369712B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
| 发明(设计)人: | 张东;麦宏全;庄胜钧 | 申请(专利权)人: | 业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;业成光电(无锡)有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分类号: | B23K26/38 | 分类号: | B23K26/38;B23K26/60;B23K26/70 |
| 代理公司: | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人: | 杨冬梅;张行知 |
| 地址: | 611730 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 镭射 切割 方法 装置 计算机 可读 存储 介质 | ||
本发明涉及一种镭射切割方法、装置及计算机可读存储介质,该方法包括:控制镭射切割装置沿切割线以预设初始强度对膜层进行切割,检测透过膜层的当前光信号值,将当前光信号值与预设光信号值进行计算,识别膜层中是否存在光信号变化量超过预设阈值的第一区段和光信号变化量未超过预设阈值的第二区段,若存在第一区段,控制镭射切割装置以小于预设初始强度的强度沿切割线对第一区段进行至少一次切割,若存在第二区段,控制镭射切割装置以预设初始强度沿切割线对第二区段进行至少一次切割。该方法能解决目前对膜层进行镭射切割时,容易对膜层较薄处对应的基材造成较严重的损伤,从而影响产品的外观、光学成像品质以及力学性能等的问题。
技术领域
本发明涉及电子产品制备技术领域,特别是涉及镭射切割方法、装置及计算机可读存储介质。
背景技术
在镜片模组及各类电子产品的制备过程中,通常会涉及镭射切割工序,镭射切割是利用经聚焦的高功率密度镭射光束照射产品,使被照射的材料迅速熔化、汽化、烧蚀或达到燃点,同时借助与光束同轴的高速气流吹除熔融物质,从而实现切割。具体地,在利用镭射切割方式对设置在玻璃基材或者亚克力基材上的膜层进行切割时,通常需要多次沿着切割线向膜层表面施加能量,经过多次叠加逐次渗透,直至将整个切割路径上的膜层完全切断。对于平整度或者厚度不均匀的膜层,切割误差极易导致较厚的部分无法切穿,但若为了将较厚的部分切穿而增加叠加切割次数,则会导致膜层较薄处对应的基材造成较严重的损伤,从而影响产品的外观、光学成像品质以及力学性能等。
发明内容
基于此,有必要针对目前对平整度或者厚度不均匀的膜层进行镭射切割时,容易对膜层较薄处对应的基材造成较严重的损伤,从而影响产品的外观、光学成像品质以及力学性能等的问题,提供一种镭射切割方法、装置及计算机可读存储介质。
一种镭射切割方法,所述方法包括:控制镭射切割装置沿切割线以预设初始强度对膜层进行切割,并检测透过所述膜层的当前光信号值;将该当前光信号值与预设光信号值进行计算,以识别出所述膜层中是否存在光信号变化量超过预设阈值的第一区段和光信号变化量未超过该预设阈值的第二区段;若所述膜层中存在光信号变化量超过预设阈值的第一区段,则控制所述镭射切割装置,以小于所述预设初始强度的强度,沿所述切割线对所述第一区段进行至少一次切割;若所述膜层中存在光信号变化量未超过该预设阈值的第二区段,则控制所述镭射切割装置,以所述预设初始强度,沿所述切割线对所述第二区段进行至少一次切割,直至所述第二区段的光信号变化量全部超过预设阈值。
在其中一个实施例中,所述沿所述切割线对所述第二区段进行至少一次切割,直至所述第二区段的光信号变化量全部超过预设阈值中的每一次切割均采用以下步骤实现:获取前次切割的所述第二区段的光信号变化量计算结果;在所述光信号变化量计算结果表征前次切割的所述第二区段中存在光信号变化量超过预设阈值的区段时,将该光信号变化量超过预设阈值的区段作为当次切割的第一区段,并控制所述镭射切割装置,以小于所述预设初始强度的强度,沿所述切割线对所述当次切割的第一区段进行切割;在所述光信号变化量计算结果表征前次切割的所述第二区段中存在光信号变化量未超过该预设阈值的区段时,将该光信号变化量未超过该预设阈值的区段作为当次切割的第二区段,控制所述镭射切割装置,以所述预设初始强度,沿所述切割线对所述当次切割的第二区段进行切割,并进行光信号变化量计算,得到当次切割的光信号变化量计算结果;其中,所述当次切割的光信号变化量计算结果用于作为下一次切割所对应的前次切割的所述第二区段的光信号变化量计算结果。
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