[发明专利]保护电路以及集线器芯片在审
申请号: | 202110696129.0 | 申请日: | 2021-06-23 |
公开(公告)号: | CN113364285A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 林小琪;杜家铭;林宜兴;陈绍宇 | 申请(专利权)人: | 威锋电子股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/156 | 分类号: | H02M3/156;H02M1/32;H02M1/088 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 李芳华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护 电路 以及 集线器 芯片 | ||
1.一种保护电路,适用于一集线器芯片中,该集线器芯片具有一传输接口,该传输接口包括一电源引脚、一第一数据引脚以及一第二数据引脚,该保护电路包括:
一电压产生电路,根据该电源引脚及该第一数据引脚的电压,产生并调整一第一输出电压;
一第一PMOS晶体管,具有一第一栅极、一第一电极、一第二电极以及一第一基极,该第一电极耦接该电源引脚,该第二电极耦接该第一数据引脚,该第一基极接收该第一输出电压;以及
一第一检测电路,耦接该第一栅极,并检测该电源引脚的电压,
其中当该电源引脚的电压为一第一电压时,该第一检测电路传送该第一数据引脚的电压予该第一栅极。
2.如权利要求1所述的保护电路,其中当该电源引脚的电压为该第一电压时,该第一电极与该第二电极间的一通道被切断,并且该第一电极与该第一基极间的一本体二极管不导通。
3.如权利要求2所述的保护电路,其中该第一检测电路包括:
一第二PMOS晶体管,具有一第二栅极、一第三电极、一第四电极以及一第二基极,该第二栅极耦接该电源引脚,该第三电极耦接该第一栅极、该第四电极耦接该第一数据引脚,该第二基极耦接该第一基极。
4.如权利要求2所述的保护电路,还包括:
一第三PMOS晶体管,具有一第三栅极、一第五电极、一第六电极以及一第三基极,该第五电极耦接该电源引脚,该第六电极耦接该第二数据引脚,该第三基极接收一第二输出电压;以及
一第二检测电路,耦接该第三栅极,并检测该电源引脚的电压,
其中当该电源引脚的电压为该第一电压时,该第二检测电路传送该第二数据引脚的电压予该第三栅极。
其中,该电压产生电路根据该电源引脚及该第二数据引脚的电压,产生并调整该第二输出电压。
5.如权利要求4所述的保护电路,其中当该电源引脚的电压为该第一电压时,该第五电极与该第六电极间的一通道被切断,并且该第五电极与该第三基极间的一本体二极管不导通。
6.如权利要求5所述的保护电路,其中该第二检测电路包括:
一第四PMOS晶体管,具有一第四栅极、一第七电极、一第八电极以及一第四基极,该第四栅极耦接该电源引脚,该第七电极耦接该第三栅极、该第八电极耦接该第二数据引脚,该第四基极耦接该第三基极。
7.如权利要求3所述的保护电路,其中该电压产生电路包括:
一第五PMOS晶体管,具有一第五栅极、一第九电极、一第十电极以及一第五基极,该第五栅极耦接该电源引脚,该第九电极耦接该第一数据引脚;
一第六PMOS晶体管,具有一第六栅极、一第十一电极、一第十二电极以及一第六基极,该第六栅极耦接该第十电极,该第十一电极耦接该电源引脚,该第十二电极耦接该第五基极以及该第六基极,用以提供该第一输出电压;以及
一NMOS晶体管,具有一第七栅极、一第十三电极、一第十四电极以及一第七基极,该第七栅极耦接该电源引脚,该第十三电极耦接该第十电极,该第十四电极耦接该第七基极并耦接至一接地端。
8.如权利要求7所述的保护电路,其中当该电源引脚的电压为该第一电压时,该第五PMOS晶体管导通,该第六PMOS晶体管不导通,并且该第一输出电压约等于该第六栅极的电压与该第六PMOS晶体管的一临界电压的总合。
9.如权利要求8所述的保护电路,其中当该电源引脚的电压为一第二电压时,该第五PMOS晶体管不导通,该第六PMOS晶体管及该NMOS晶体管导通,并且该第一输出电压为该第二电压。
10.如权利要求1所述的保护电路,还包括:
一驱动电路,当该电源引脚的电压为一第二电压时,根据一逻辑数据,控制该第一PMOS晶体管,用以调整该第一数据引脚的电压,该第二电压大于该第一电压。
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