[发明专利]MENS芯片制造方法

说明书

为了解决现有技术的不足之处，本申请提供了一种MENS芯片制造方法,包括如下步骤:利用第一胶层将一个功能层粘贴至一个牺牲层的第一侧；利用第二胶层将一个基板粘贴至所述牺牲层的第二侧；加工贯穿所述基板和所述第二胶层的预制腔；加工所述功能层以形成芯片图形；沿所述预制腔加工所述牺牲层以形成贯穿所述基板、第二胶层和牺牲层的终制腔。本申请的有益之处在于提供了一种步骤合理且又能保证支撑强度的MENS芯片制造方法。

技术领域

本申请涉及一种芯片制造方法，具体涉及一种MENS芯片制造方法。

背景技术

微机电系统（MEMS, Micro-Electro-Mechanical System），也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等，指尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置。

微机电系统是在微电子技术（半导体制造技术）基础上发展起来的，融合了光刻、腐蚀、薄膜、LIGA、硅微加工、非硅微加工和精密机械加工等技术制作的高科技电子机械器件。

用于实现温度检测的MEMS芯片往往具有腔结构，现有技术中采用牺牲层形成腔结构时又希望其能作为芯片图案的支撑，这样往往容易出现塌陷的工艺缺陷。

发明内容

为了解决现有技术的不足之处，本申请提供了一种MENS芯片制造方法,包括如下步骤:利用第一胶层将一个功能层粘贴至一个牺牲层的第一侧；利用第二胶层将一个基板粘贴至所述牺牲层的第二侧；加工贯穿所述基板和所述第二胶层的预制腔；加工所述功能层以形成芯片图形；沿所述预制腔加工所述牺牲层以形成贯穿所述基板、第二胶层和牺牲层的终制腔。

进一步地，所述MENS芯片制造方法还包括如下步骤:在一衬底上形成所述功能层；所述第一胶层和所述衬底分别位于所述功能层相对的两侧。

进一步地，所述MENS芯片制造方法还包括如下步骤:将所述衬底剥离自所述功能层。

进一步地，所述加工贯穿所述基板和所述第二胶层的预制腔包括：单独加工所述基板以形成所述预制腔的一部分，然后在将所述基板结合至所述第二胶层后加工所述第二胶层形成所述预制腔的另一部分。

进一步地，所述加工贯穿所述基板和所述第二胶层的预制腔包括：在将所述基板结合至所述第二胶层后同时加工所述基板和第二胶层一次性形成所述预制腔。

进一步地，所述功能层由热敏半导体材料制成。

进一步地，所述热敏半导体材料包括但不限于锑化铟或氧化钒。

进一步地，所述牺牲层材料包括但不限于玻璃、二氧化硅或金属。

进一步地，所述基板材料包括但不限于环氧材料、硅或玻璃。

进一步地，所述第一胶层或所述第二胶层由环氧树脂材料制成。

另一方面，本申请还提供一种MENS芯片制造方法,包括如下步骤:利用一个胶层将一个功能层粘贴至一个牺牲层；加工所述功能层以形成芯片图案；刻蚀所述牺牲层以形成若干腔结构；其中，所述腔结构在所述牺牲层的深度小于等于所述牺牲层厚度以使所述胶层作为所述功能层的支撑。

本申请的有益之处在于：提供了一种步骤合理且又能保证支撑强度的MENS芯片制造方法。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本申请的进一步理解，使得本申请的其它特征、目的和优点变得更明显。本申请的示意性实施例附图及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1是根据本申请一种实施例的MENS芯片制造方法核心步骤示意框图；

图2是根据本申请一种实施例的MENS芯片制造方法第一制备步骤的示意图；

图3是根据本申请一种实施例的MENS芯片制造方法第二制备步骤的示意图；