[发明专利]MENS芯片制造方法

权利要求书

1.一种MENS芯片制造方法,其特征在于:

所述MENS芯片制造方法包括如下步骤:

利用第一胶层将一个功能层粘贴至一个牺牲层的第一侧；

利用第二胶层将一个基板粘贴至所述牺牲层的第二侧；

加工贯穿所述基板和所述第二胶层的预制腔；

加工所述功能层以形成芯片图形；

沿所述预制腔加工所述牺牲层以形成贯穿所述基板、第二胶层和牺牲层的终制腔。

2.根据权利要求1所述的MENS芯片制造方法,其特征在于:

所述MENS芯片制造方法还包括如下步骤:

在一衬底上形成所述功能层；

所述第一胶层和所述衬底分别位于所述功能层相对的两侧。

3.根据权利要求2所述的MENS芯片制造方法,其特征在于:

所述MENS芯片制造方法还包括如下步骤:

将所述衬底剥离自所述功能层。

4.根据权利要求1所述的MENS芯片制造方法,其特征在于:

所述加工贯穿所述基板和所述第二胶层的预制腔包括：

单独加工所述基板以形成所述预制腔的一部分，然后在将所述基板结合至所述第二胶层后加工所述第二胶层形成所述预制腔的另一部分。

5.根据权利要求1所述的MENS芯片制造方法,其特征在于:

所述加工贯穿所述基板和所述第二胶层的预制腔包括：

在将所述基板结合至所述第二胶层后同时加工所述基板和第二胶层一次性形成所述预制腔。

6.根据权利要求1至5任意一项所述的MENS芯片制造方法,其特征在于:

所述功能层由热敏半导体材料制成。

7.根据权利要求6所述的MENS芯片制造方法,其特征在于:

所述热敏半导体材料包括但不限于锑化铟或氧化钒。

8.根据权利要求1至5任意一项所述的MENS芯片制造方法,其特征在于:

所述牺牲层材料包括但不限于玻璃、二氧化硅或金属。

9.根据权利要求1至5任意一项所述的MENS芯片制造方法,其特征在于:

所述基板材料包括但不限于环氧材料、硅或玻璃。

10.根据权利要求1至5任意一项所述的MENS芯片制造方法,其特征在于:

所述第一胶层或所述第二胶层由环氧树脂材料制成。

11.一种MENS芯片制造方法,其特征在于:

所述MENS芯片制造方法包括如下步骤:

利用一个胶层将一个功能层粘贴至一个牺牲层；

加工所述功能层以形成芯片图案；

刻蚀所述牺牲层以形成若干腔结构；

其中，所述腔结构在所述牺牲层的深度小于等于所述牺牲层的厚度以使所述胶层作为所述功能层的支撑。