[发明专利]一种光刻胶产酸树脂单体及其合成方法和应用

说明书

本发明涉及光刻胶技术领域，且公开了一种光刻胶产酸树脂单体及其合成方法和应用。所述树脂单体的结构为：其中，R₁为H或者甲基，R₂为C₁‑C₁₂的烷烃，L₁、L₂为二价连接键，A₁、A₂、A₃、A₄各自独立的为F、H或者CF₃，且A₁、A₂、A₃、A₄中至少有一个为F或者CF₃。本发明特定结构的树脂单体，光致产酸的锍盐基团与不饱和丙烯酸酯连接，聚合后结合在树脂上，可有效防止酸的扩散，并且其阴阳离子在同一个结构中，进一步抑制了酸的扩散，能够有效的降低线边缘粗糙度，提高分辨率。

技术领域

本发明涉及光刻胶技术领域，具体为一种光刻胶产酸树脂单体及其合成方法和应用。

背景技术

光刻技术是指利用光刻材料(特指光刻胶)在可见光、紫外线、电子束等作用下的化学敏感性，通过曝光、显影、刻蚀等工艺过程，将设计在掩膜版上的图形转移到衬底上的图形微细加工技术。

光刻材料(特指光刻胶)，又称光致抗蚀剂，是光刻技术中涉及的最关键的功能性化学材料，主要成分是树脂、光致酸产生剂、以及相应的添加剂和溶剂，这类材料具有光(包括可见光、紫外线、电子束等)化学敏感性，经光化学反应，本身在显影液中的溶解性发生变化。根据光化学反应机理不同，光刻胶分为正性光刻胶与负性光刻胶：曝光后，光刻胶在显影液中溶解性增加，得到与掩膜版相同图形的称为正性光刻胶；曝光后，光刻胶在显影液中溶解性降低甚至不溶，得到与掩膜版相反图形的称为负性光刻胶。

随着光刻技术的发展，光刻图案的尺寸要求越来越小，对光刻图案的分辨率和边缘粗糙度也提出了更高的要求，开发新的光致抗蚀剂是很有必要的。

为此我们提出了一种光刻胶产酸树脂单体及其合成方法

发明内容

针对现有技术存在的上述不足，本发明提供了一种光刻胶产酸树脂单体及其合成方法和应用。

本发明提供如下技术方案：一种光刻胶产酸树脂单体，所述树脂单体的结构为：

其中，R₁为H或者甲基，R₂为C₁-C₁₂的烷烃，L₁、L₂为二价连接键，A₁、A₂、A₃、A₄各自独立的为F、H或者CF₃，且A₁、A₂、A₃、A₄中至少有一个为F或者CF₃。

优选的，所述L₁或L₂包括：酯基、碳酸酯基、醚键。

优选的，所述树脂单体包括以下三种结构：

其中，R₁为H或者甲基，R₂为C₁-C₁₂的烷烃，A₁、A₂、A₃、A₄各自独立的为F、H或者CF₃，且A₁、A₂、A₃、A₄中至少有一个为F或者CF₃。

优选的，所述树脂单体包括以下结构：