[发明专利]一种低电阻率高电压PPTC材料及其制备方法和应用有效
申请号: | 202110688343.1 | 申请日: | 2021-06-21 |
公开(公告)号: | CN113410015B | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
发明(设计)人: | 陈绪煌;陶佳健 | 申请(专利权)人: | 北京复通电子科技有限责任公司 |
主分类号: | H01C7/02 | 分类号: | H01C7/02;H01C17/00 |
代理公司: | 上海世圆知识产权代理有限公司 31320 | 代理人: | 王贺玲 |
地址: | 101100 北京市通州区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电阻率 电压 pptc 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
本发明提供了一种低电阻率高电压PPTC材料及其制备方法和应用,包括:高分子聚合物基体,分散在所述高分子聚合物基体中的导电填料和非导电填料;所述非导电填料为纳米二氧化硅与无机阻燃填料的组合物。本发明的PPTC材料加工方便,生产出的PPTC片材具有电阻率低(电阻率可以低至约0.03ohm‑cm且同时满足过电流保护元件低电阻(芯片面积为6mm2条件下,电阻低于10mohm,)和高耐电压(20V/15A)的要求,具有电弧抑制能力强、高阻燃等优点。
技术领域
本发明属于过电流保护电子元器件材料技术领域,具体涉及一种低电阻率高电压PPTC材料及其制备方法和在过电流保护电子元器件方面的应用。
背景技术
具有正温度系数特性的聚合物导电复合材料(PPTC)对电流和温度具有快速的响应,其广泛用于电路保护。在常温条件下,电阻处于低电阻状态,但电路发生过电流或过温时,其电阻会以毫秒级速度从低电阻转换到高电阻状态(高电阻/低电阻的对数比为4以上,其也称为PPTC强度),电压全部加载到PPTC上,从而到达保护电路元件的目的。
PPTC材料由一种或一种以上具有结晶特性的高分子材料、导电填料和非导电填料组成。填料均匀分散在高分子材料中。高分子材料通常为聚烯烃(如:聚乙烯)、含氟聚烯烃(如:聚偏氟乙烯)等。导电填料常为炭黑、金属粉末(如:铜、镍等)或金属陶瓷粉末(如:碳化钛或碳化钨)。
PPTC材料的电阻率直接与导电填料的种类及添加量有关。炭黑是PPTC最常用的导电填料,其对温度和湿度的极佳稳定性赋予炭黑基PPTC优异的可恢复特性和电阻再现性,但其高的常温电阻率不能满足器件日益小型化对PPTC电阻的要求。采用金属填料(例如镍粉、铜粉)取代炭黑可以显著降低电阻率,例如:专利文献CN103436197A采用金属粉末做导电填料,制备电阻率极低的PPTC器件。但金属粉末在升高温度的条件下容易氧化,渐进氧化的金属粉在导电通路上形成了高电阻的界面,其导致元件在服役过程中电阻缓慢升高,从而导致器件特性改变,影响器件的使用。为了防止材料氧化,这类文献通常会采用特殊的氧气阻隔材料来封装器件,但氧气阻隔材料及封装工艺成本都很高,导致产品逐渐失去市场竞争力。如今电路保护市场上常采用导电陶瓷粉如碳化物粉末作为填料,制备高性价比的低电阻元件。但以导电陶瓷粉末为填充的PPTC体系中,器件的额定电压通常在6V,在更高的工作电压下,元件在动作过程中易烧毁。
通用串行总线(USB)Type-CTM推出了一种紧凑型、可反转的数据和电源连接器,同时支持USB功率输送(USB PD)。USB PD支持功率高达100W(20V/5A),除通用功能外,并因其支持锂电池快速充电功能,从而推动了USB Type-C的迅速普及。然而,静电放电会对USBType-C系统的敏感硅器件构成风险;高功率输送、紧凑的连接器、消费者连接不合规的电缆都增加了USB Type-C技术的过压故障概率。此外,USB Type-C连接器的引脚间距仅是TypeA连接器的四分之一。当引脚间距减小后,在高电流/电压条件下,扭转电缆或拔下连接器时会导致灾难性短路概率增大,连接器内的碎屑堆积可能造成类似的灾难性后果;紧凑型连接器的机械应力、碎屑和不合规电缆,以及高电流/电压增加了USB Type-C系统短路的风险。如果连接器的相邻引脚VBUS和CC或SBU之间发生短路,下游电路可能会受到20V浪涌电压的损坏,因此可靠的电路保护至关重要。
采用PPTC对USB Type-C的端口保护是解决方案之一。为了提高产品的耐电压能力,通常在PPTC材料的配方中添加高含量的无机填料如氢氧化镁、氢氧化铝等助剂。但在PPTC材料配方中添加体积比低于10%的氢氧化物时,器件耐电压能力提升效果不显著;但如果提高无机填料的添加量,则PPTC的电阻率将显著上升(如体积比高于10%时)。故对PPTC低电阻率和高耐电压的要求是矛盾的。举例来说,对形状因子1206的器件来说,电阻要低于10mohm同时PPTC材料的耐压等级达到20V是比较困难的。
发明内容
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