[发明专利]一种应用于低功耗LDO的快速响应电路有效
申请号: | 202110687772.7 | 申请日: | 2021-06-21 |
公开(公告)号: | CN113342111B | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 袁琳;杨琨;李海龙 | 申请(专利权)人: | 南京微盟电子有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 杭州山泰专利代理事务所(普通合伙) 33438 | 代理人: | 周玲 |
地址: | 210000 江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 功耗 ldo 快速 响应 电路 | ||
本发明涉及集成电路技术领域,公开了一种应用于低功耗LDO的快速响应电路,包括主环路、负载电流检测电路、输出电压检测电路和转换电路;所述主环路包括输入电压VIN、输出电压VOUT、反馈电压FB、基准模块、R1电阻、R2电阻、MP功率管和误差放大器。本发明在减小线性稳压器静态电流时,通过输出电压检测电路更快得增加尾电流,又提高了空载切换至重载时的负载阶跃特性,有效提高了现有技术的响应性能。
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,具体为一种应用于低功耗LDO的快速响应电路。
背景技术
近年来,随着各类便携电子产品的普及,人们对电子产品的依赖性也越来越强,这就对便携类电子产品的电源管理系统提出了更高的要求,而低功耗LDO也成为了发展趋势之一。
常见低功耗LDO结构如图1所示,VIN为输入电压,VOUT为LDO的输出电压;MP为功率管,R1和R2是反馈电阻,FB为反馈电压;基准模块提供参考电压VREF;EA为误差放大器,I1是误差放大器固定偏置尾电流,空载时,只有I1尾电流工作,带载时,I1和Ic尾电流同时工作,这样即可实现在保证低静态电流的同时,兼具很好的稳定性。
在实现本发明的过程中,发明人发现现有技术中至少存在如下问题没有得到解决:对于低功耗LDO,空载切换重载时,空载时极低的运放尾电流很难快速驱动功率管作出响应,因此,大信号响应性能往往较差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种应用于低功耗LDO的快速响应电路,解决背景技术中所提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种应用于低功耗LDO的快速响应电路,包括主环路、负载电流检测电路、输出电压检测电路和转换电路;
所述主环路包括输入电压VIN、输出电压VOUT、反馈电压FB、基准模块、R1电阻、R2电阻、MP功率管和误差放大器;
所述基准模块提供参考电压VREF;
所述误差放大器的尾电流分为两路偏置电流I1和Ic,I1为第一固定偏置流,Ic为一个受负载电流检测电路和输出电压检测电路控制的尾电流。
作为本发明的一种优选实施方式,所述主环路还包括PMOS管M1管、PMOS管M2管、NMOS管M3、NMOS管M4和Cf前馈电容,所述Ic为NMOS管M5,所述PMOS管M1管、PMOS管M2管、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5和I1电流源构成运放第一级,PMOS管M1管和PMOS管M2管为电流镜,NMOS管M3和NMOS管M4为输入差分对管,NMOS管M4栅极输入基准电压,第一级输出连接功率管MP的栅极,MP管漏极即为VOUT,并连接R1,R1另一端为FB电压,并连接R2和NMOS管M3栅极,R2另一端连接到地,Cf与R1并联,用于补偿环路稳定性。
作为本发明的一种优选实施方式,所述负载电流检测电路为PMOS管M8,PMOS管M8的栅极与功率管MP的栅极相连,并且PMOS管M8的源极与功率管MP的源极均与VIN连接。
作为本发明的一种优选实施方式,所述输出电压检测电路包含PMOS管M6、第二固定偏置电流I2和PMOS管M7,PMOS管M6源极接VIN,漏极接I2,PMOS管M7源极连接VIN。
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