[发明专利]一种应用于低功耗LDO的快速响应电路

权利要求书

1.一种应用于低功耗LDO的快速响应电路，其特征在于，包括主环路、负载电流检测电路、输出电压检测电路和转换电路；

所述主环路包括输入电压VIN、输出电压VOUT、反馈电压FB、基准模块、R1电阻、R2电阻、MP功率管和误差放大器；

所述基准模块提供参考电压VREF；

所述误差放大器的尾电流分为两路偏置电流I1和Ic，I1为第一固定偏置流，Ic为一个受负载电流检测电路和输出电压检测电路控制的尾电流；

所述主环路还包括PMOS管M1管、PMOS管M2管、NMOS管M3、NMOS管M4和Cf前馈电容，所述Ic为NMOS管M5，所述PMOS管M1管、PMOS管M2管、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5和I1电流源构成运放第一级，PMOS管M1管和PMOS管M2管为电流镜，NMOS管M3和NMOS管M4为输入差分对管，NMOS管M4栅极输入基准电压，第一级输出连接功率管MP的栅极，MP管漏极即为VOUT，并连接R1，R1另一端为FB电压，并连接R2和NMOS管M3栅极，R2另一端连接到地，Cf与R1并联，用于补偿环路稳定性；

所述负载电流检测电路为PMOS管M8，PMOS管M8的栅极与功率管MP的栅极相连，并且PMOS管M8的源极与功率管MP的源极均与VIN连接,PMOS管M8的漏极与I3、PMOS管M7的漏极和NMOS管M9栅极漏极连接；

所述输出电压检测电路包含PMOS管M6、第二固定偏置电流I2和PMOS管M7，PMOS管M6源极接VIN，漏极接I2和PMOS M7的栅极，栅极连接NMOS M3的漏极和PMOS M1的栅极漏极，PMOS管M7源极连接VIN，漏极连接I3、PMOS管M8的漏极和NMOS管M9栅极漏极，栅极连接PMOS管M6漏极和I2；

所述转换电路用于将输出电压检测电路和负载电流检测电路检测结果转换为误差放大器尾电流，所述转换电路包括第三偏置电流I3、第四偏置电流I4、NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11和NMOS管M12，I3连接PMOS管M7和PMOS管M8的漏极，NMOS管M9和NMOS管M10连接为栅极和漏极连接的二极管接法，且NMOS管M9和NMOS管M10串联，用于钳位PMOS管M7和PMOS管M8漏端电压不能过高，I4为固定偏置电流，连接NMOS管M11的漏极，NMOS管M11栅极连接PMOS管M7和PMOS管M8漏极，源极连接NMOS管M12的栅极和漏极，NMOS管M12采用栅极漏极短接的二极管接法，源极接地，NMOS管M11为开关管，用于接收PMOS管M7和PMOS管M8的检测结果，NMOS管M5源极接地，漏极接NMOS管M3和NMOS管M4源极，栅极连接NMOS管M12的栅极。

2.根据权利要求1所述的一种应用于低功耗LDO的快速响应电路，其特征在于：PMOS管M8用于检测负载电流，PMOS管M7用于检测输出电压，PMOS管M7和PMOS管M8两条支路共同作用于NMOS管M11的栅极。