[发明专利]芯片性能的测试方法及装置

说明书

本发明涉及一种芯片性能的测试方法及装置，该方法包括：在确定测试探头与目标芯片连接的情况下，在预定方向上通过测试探头对目标芯片施加外力直至目标芯片断裂，获取目标芯片断裂时对目标芯片所施加的外力的力度值；基于力度值确定目标芯片的性能。通过本发明，解决了现有技术中存在的无法对芯片的性能进行有效测试分析的问题。

技术领域

本发明涉及电子领域，尤其涉及一种芯片性能的测试方法及装置。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有节能、环保、寿命长等优点，在照明、显示等领域中得到了广泛的应用，正逐步取代白炽灯、荧光灯等传统照明灯具而进入千家万户。微型发光二极管是新型的显示技术，具有高亮、低延迟、长寿命、广视角、高对比度的优势，是目前发光二极管的发展方向。微型发光二极管目前的关键技术为巨量转移，针对巨量转移问题目前各厂家开发出小尺寸结构的芯片来降低巨量转移的困难度，但是由于微型发光二极管芯片尺寸小，结构受力弱，目前暂无有效针对芯片的性能进行量化分析的方法。

因此，提供一种测试方法，能对芯片的性能进行有效测试分析，就成为本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种芯片性能的测试方法及装置，旨在解决相关技术中存在的缺乏对芯片的性能进行有效测试分析的方法的问题。

一种芯片性能的测试方法，包括：在确定测试探头与目标芯片连接的情况下，在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂，获取所述目标芯片断裂时对所述目标芯片所施加的外力的力度值；基于所述力度值确定所述目标芯片的性能。

在上述实施例中，通过测试探头对目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂，可测出所述目标芯片能承受的外力强度，进而可以达到测试分析所述目标芯片性能的目的，有效解决了现有技术中存在的无法对芯片的性能进行有效测试分析的问题。

可选地，在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂包括以下至少之一：在与所述目标芯片所在平面垂直且朝向所述目标芯片所在平面的方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂；在与所述目标芯片所在平面垂直且背离所述目标芯片所在平面的方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂；在与所述目标芯片所在平面成预定角度的方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂，其中，所述预定角度大于等于0度且小于90度，或者所述预定角度大于90度小于等于180度。

通过上述实施例，通过所述测试探头对所述目标芯片施加不同方向的外力以测试所述目标芯片所能承受的外力强度，能够达到更可靠更全面地分析所述目标芯片的性能的目的。

可选地，在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂包括：在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加第一外力，其中，所述第一外力小于所述目标芯片在所述预定方向上所能承载的最大外力；在所述第一外力基础上按预定步长依次调整对所述目标芯片施加的所述外力直至所述目标芯片断裂。

通过上述实施例，通过采取逐步增加所述外力的大小直至所述目标芯片断裂的测试方法，能够有效避免对被测芯片的直接损坏而导致不必要的浪费，达到科学合理地实施测试的目的。

可选地，在预定方向上通过所述测试探头对所述目标芯片施加外力直至所述目标芯片断裂之前，所述方法还包括以下之一：在所述测试探头上蘸取胶黏剂，利用所述测试探头上蘸取的所述胶黏剂将所述测试探头与所述目标芯片连接；在所述目标芯片的预定位置处涂覆胶黏剂，利用所述目标芯片上涂覆的所述胶黏剂将所述测试探头与所述目标芯片连接。