[发明专利]六面电磁屏蔽的倒装芯片封装方法

说明书

本申请涉及一种六面电磁屏蔽的倒装芯片封装方法，所述封装方法包括：在封装基板的A面进行贴装焊接并对所述封装基板的整片A面进行封胶；在所述封装基板的B面进行贴装焊接，在所述封装基板的B面上进行第一次植球，并在第一次植球后对所述封装基板的整片B面进行封胶；在所述封装基板的B面进行研磨减薄以露出第一次植球的锡球剖面；在所述封装基板的B面涂上光刻胶进行曝光显影；在所述封装基板的B面整片进行金属溅镀以形成电磁屏蔽层，并对无需电磁屏蔽的植球区域进行撕膜露出锡球剖面；在所述封装基板的B面的锡球剖面上进行第二次植球。本发明实现整个芯片的6面EMI屏蔽功能，提升了产品整体抗电磁干扰的性能。

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域，特别是涉及一种六面电磁屏蔽的倒装芯片封装方法。

背景技术

EMI(Electromagnetic Interference，电磁干扰)是指电子产品工作会对周边的其他电子产品造成干扰，是电子电器产品经常遇上的问题，具体的干扰种类包括传导干扰和辐射干扰。倒装芯片(Flip-chip)是一种无引脚结构芯片，一般含有电路单元。倒装芯片通常设计用于通过适当数量的位于其面上的锡球(导电性粘合剂所覆盖)，在电气上和机械上连接于电路。

在传统技术中，现有EMI芯片封装流程大致有四步，第一步将表面贴装元件和倒装芯片贴装于封装基板表面，第二步对倒装芯片底部进行底部填胶，第三步将倒装芯片和表面贴装元件用非导电树脂黑胶塑封，第四步切单颗后使用金属溅镀工艺在产品表面和四周形成EMI金属屏蔽层达到防电磁干扰屏蔽目的。因此，通过传统工艺的加工方式所得到的芯片封装结构只能实现5个面的电磁屏蔽，当电磁干扰源来源于芯片底部则无法实现有效的抗干扰效果，并不能达到六面电磁屏蔽的效果。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种六面电磁屏蔽的倒装芯片封装方法。

一种六面电磁屏蔽的倒装芯片封装方法，所述封装方法包括：

在封装基板的A面进行贴装焊接并对所述封装基板的整片A面进行封胶；

在所述封装基板的B面进行贴装焊接，在所述封装基板的B面上进行第一次植球，并在第一次植球后对所述封装基板的整片B面进行封胶；

在所述封装基板的B面进行研磨减薄以露出第一次植球的锡球剖面；

在所述封装基板的B面涂上光刻胶进行曝光显影；

在所述封装基板的B面整片进行金属溅镀以形成电磁屏蔽层，并对无需电磁屏蔽的植球区域进行撕膜露出锡球剖面；

在所述封装基板的B面的锡球剖面上进行第二次植球。

在其中一个实施例中，在所述封装基板的B面的锡球剖面上进行第二次植球的步骤之后还包括：

在所述封装基板的A面对需要进行分区屏蔽的地方进行激光钻孔，并进行金属填孔以形成分区屏蔽层。

在其中一个实施例中，在所述封装基板的A面对需要进行分区屏蔽的地方进行激光钻孔，并进行金属填孔以形成分区屏蔽层的步骤之后还包括：

将整片基板切割成单颗，并在所述封装基板的A面表面和四个侧面进行金属溅镀以形成电磁屏蔽层。

在其中一个实施例中，所述在封装基板的A面进行贴装焊接并对所述封装基板的整片A面进行封胶的步骤还包括：

在封装基板的A面进行贴装元件、功能模块及第一倒装芯片的贴装焊接；

对所述第一倒装芯片进行底部填充，并对所述封装基板的整片A面进行封胶。

在其中一个实施例中，所述在所述封装基板的B面进行贴装焊接，在所述封装基板的B面上进行第一次植球，并在第一次植球后对所述封装基板的整片B面进行封胶的步骤还包括：