[发明专利]六面电磁屏蔽的倒装芯片封装方法在审
申请号: | 202110686519.X | 申请日: | 2021-06-21 |
公开(公告)号: | CN113410145A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 林建涛;喻志刚;刘永强 | 申请(专利权)人: | 东莞记忆存储科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/552 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 丁宇龙 |
地址: | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电磁 屏蔽 倒装 芯片 封装 方法 | ||
1.一种六面电磁屏蔽的倒装芯片封装方法,其特征在于,所述封装方法包括:
在封装基板的A面进行贴装焊接并对所述封装基板的整片A面进行封胶;
在所述封装基板的B面进行贴装焊接,在所述封装基板的B面上进行第一次植球,并在第一次植球后对所述封装基板的整片B面进行封胶;
在所述封装基板的B面进行研磨减薄以露出第一次植球的锡球剖面;
在所述封装基板的B面涂上光刻胶进行曝光显影;
在所述封装基板的B面整片进行金属溅镀以形成电磁屏蔽层,并对无需电磁屏蔽的植球区域进行撕膜露出锡球剖面;
在所述封装基板的B面的锡球剖面上进行第二次植球。
2.根据权利要求1所述的六面电磁屏蔽的倒装芯片封装方法,其特征在于,在所述封装基板的B面的锡球剖面上进行第二次植球的步骤之后还包括:
在所述封装基板的A面对需要进行分区屏蔽的地方进行激光钻孔,并进行金属填孔以形成分区屏蔽层。
3.根据权利要求2所述的六面电磁屏蔽的倒装芯片封装方法,其特征在于,在所述封装基板的A面对需要进行分区屏蔽的地方进行激光钻孔,并进行金属填孔以形成分区屏蔽层的步骤之后还包括:
将整片基板切割成单颗,并在所述封装基板的A面表面和四个侧面进行金属溅镀以形成电磁屏蔽层。
4.根据权利要求1所述的六面电磁屏蔽的倒装芯片封装方法,其特征在于,所述在封装基板的A面进行贴装焊接并对所述封装基板的整片A面进行封胶的步骤还包括:
在封装基板的A面进行贴装元件、功能模块及第一倒装芯片的贴装焊接;
对所述第一倒装芯片进行底部填充,并对所述封装基板的整片A面进行封胶。
5.根据权利要求4所述的六面电磁屏蔽的倒装芯片封装方法,其特征在于,所述在所述封装基板的B面进行贴装焊接,在所述封装基板的B面上进行第一次植球,并在第一次植球后对所述封装基板的整片B面进行封胶的步骤还包括:
在所述封装基板的B面进行第二倒装芯片的贴装焊接;
在所述封装基板的B面进行第一次植球;
对所述第二倒装芯片进行底部填充并对所述封装基板的整片B面进行封胶。
6.根据权利要求1-5任一项所述的六面电磁屏蔽的倒装芯片封装方法,其特征在于,所述方法还包括:
根据芯片功能要求及封装布局对封装基板进行双面封装设计。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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