[发明专利]一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管

说明书

本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管，涉及显示技术领域。薄膜晶体管的制备方法包括在同道蚀刻工艺中，利用含氟离子酸溶液蚀刻薄膜晶体管的沟道位置的金属层和欧姆接触层，欧姆接触层的材料为掺杂的非晶硅。该制备方法能够改善2W2D工艺、减少蚀刻次数、提高生产效率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管。

背景技术

目前，薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay,TFT-LCD)的阵列(array)工艺普遍采用4mask(四道光罩)工艺。4mask工艺中的其中一道光刻工艺首先利用mask设计，通过涂布光阻、曝光显影制作出相应的光阻图形，然后利用2W2D(两次湿刻和两次量产干刻)的工艺制作出TFT(薄膜晶体管)器件。

具体的，2W2D工艺包括：

1st Etch WET(第一步湿刻)：利用酸蚀刻裸露(未被光阻覆盖保护)的金属层；蚀刻结果参见图1，其中，10表示栅极、20表示栅极绝缘层、30表示半导体层(包括有源层310和欧姆接触层320)、40表示金属层；

2nd Etch DRY(第二步干刻)：主要为垂直方向的蚀刻，去除裸露(未被光阻覆盖保护)的半导体层(包括裸露的有源层311和裸露的欧姆接触层321)；以及

灰化光阻，对光阻进行灰化；由于沟道位置的光阻相对于其他位置的光阻更薄，因此这一过程可以将沟道位置的光阻灰化去除，而其他位置的光阻继续覆盖保护金属层；

蚀刻结果参见图2；

3rd Etch WET(第三步湿刻)：蚀刻去除沟道位置的金属层41；蚀刻结果参见图3；

4th Etch DRY(第四步干刻)：蚀刻去除沟道位置的欧姆接触层322，形成半导体沟道；蚀刻结果参见图4；

然后剥离光阻，继续完成其他的4mask制程。

2W2D工艺是4mask工艺中较为常见也较为重要的环节，为了进一步提高生产效率，行业仍在寻求更优的办法来改善2W2D工艺。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管的制备方法，该制备方法能够改善2W2D工艺、减少蚀刻次数、提高生产效率。

本发明的另一目的在于提供一种薄膜晶体管。

本发明解决技术问题是采用以下技术方案来实现的：

一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在同道蚀刻工艺中，利用含氟离子酸溶液蚀刻薄膜晶体管的沟道位置的金属层和欧姆接触层，欧姆接触层的材料为掺杂的非晶硅。

可选的，在本发明的一些实施例中，含氟离子酸溶液中氟离子的质量百分比浓度为0.1～2％。

可选的，在本发明的一些实施例中，含氟离子酸溶液为无机酸溶液。

可选的，在本发明的一些实施例中，掺杂的非晶硅选自磷掺杂的非晶硅、硼掺杂的非晶硅、砷掺杂的非晶硅、氮掺杂的非晶硅、铝掺杂的非晶硅中的一种或多种。

可选的，在本发明的一些实施例中，金属层的材料选自银、铁、钼、铜、铝、钛、氧化铟锡中的一种或多种。

可选的，在本发明的一些实施例中，薄膜晶体管为背沟道刻蚀型薄膜晶体管。

可选的，在本发明的一些实施例中，薄膜晶体管的制备方法包括三步蚀刻工艺，同道蚀刻工艺为三步蚀刻工艺中的第三步蚀刻工艺。

可选的，在本发明的一些实施例中，三步蚀刻工艺中的第二步蚀刻工艺包括：干法蚀刻裸露的有源层和裸露的欧姆接触层；以及灰化光阻。