[发明专利]一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管有效
| 申请号： | 202110685607.8 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113488390B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 高冬子 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 远明 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为背沟道刻蚀型薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的制备方法包括：
通过PVD技术或磁控溅射沉积、光罩工艺蚀刻在玻璃基板上形成栅极；
在栅极上形成栅极绝缘层、半导体层、金属层，所述半导体层包括有源层和欧姆接触层；
沉积光阻，曝光、显影，形成图案化的光阻；
三步蚀刻工艺，其中
所述三步蚀刻工艺中的第一步蚀刻工艺包括：利用酸溶液湿法蚀刻裸露的金属层；
所述三步蚀刻工艺中的第二步蚀刻工艺包括：干法蚀刻裸露的有源层和裸露的欧姆接触层；以及灰化光阻；
所述三步蚀刻工艺中的第三步蚀刻工艺为同道蚀刻工艺，在同道蚀刻工艺中，利用含氟离子酸溶液蚀刻所述薄膜晶体管的沟道位置的金属层和欧姆接触层，所述含氟离子酸溶液中氟离子的质量百分比浓度为0.1～2％，所述欧姆接触层的材料为掺杂的非晶硅。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述含氟离子酸溶液为无机酸溶液。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述掺杂的非晶硅选自磷掺杂的非晶硅、硼掺杂的非晶硅、砷掺杂的非晶硅、氮掺杂的非晶硅、铝掺杂的非晶硅中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述金属层的材料选自银、铁、钼、铜、铝、钛、氧化铟锡中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述有源层的材料选自氧化物半导体材料、非晶硅、单晶硅、低温多晶硅中的一种或多种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
